分子束外延生长高空穴迁移率InGaSb%2fAlGaSb量子阱.pdfVIP

MBE2013 口头报告 S5-4 分子束外延生长高空穴迁移率 InGaSb/AlGaSb量子阱1 * 王娟，邢军亮，向伟，王国伟，任正伟，徐应强，贺振宏，牛智川 中国科学院半导体研究所，超晶格国家重点实验室，北京912 信箱，邮编100083 *通讯作者：电话/传真：8610邮箱：wangjuan09@semi.ac.cn 高电子迁移率晶体管（HEMT）自问世30 多年来已经在各类高速电学器件中得到广泛应 用。近年来，Sb 化物半导体具有高的电子迁移率、低的工作电压而成为近年来发展新一代 高速低功耗器件的热门材料。然而要实现Sb 化物材料CMOS 逻辑电路关键的p 型沟道场效应 管，一个挑战性难题是如何大幅度提升p 型沟道空穴迁移率。 本文在 InAs/AlSb 高电子迁移率晶体管研究基础上[1]，用VEECO Gen Ⅱ分子束外延系 12 2 统，成功生长了GaAs(001)基 InGaSb/AlGaSb 量子阱，其面载流子密度为0.877×10 /cm ， 2 室温下空穴迁移率达到1000cm /Vs。 图1所示为InGaSb/AlGaSb 量子阱结构。缓冲层和势垒层AlGaSb 中Al 的组分为0.75， InGaSb 量子阱的In 组分为0.4。通过下势垒的p 型掺杂向量子阱提供空穴。这种反转结构 可以减小后期工艺流程中栅极和沟道的距离。生长过程中用RHEED 原位测试得的衬底脱氧和 各个外延层表面再构情况如图2 所示。 对外延样品进行了X 衍射 （004）对称扫描测试。如图3 所示，AlGaSb 峰值和半高宽分 别为-10000arc sec 和496.8arc sec，大部分是弛豫的，晶体质量较好。在-14000arc sec 附近是7.5nm InGaSb 量子阱的峰，说明InGaSb 层内是压应变，这种应变可以使轻重空穴带 分裂，这也是样品空穴有效质量小，迁移率高的原因。为对样品生长质量进行表征，我们做 了原子力显微镜和透射电镜测试。原子力显微镜结果显示10μ m ×10μ m 表面均方根粗糙度 为0.8228nm。透射电镜的结果如图4 所示。 2 生长了三种 Be 掺杂浓度样品，其室温迁移率和相应的载流子浓度分别为 995cm /Vs， 2 2 12 2 12 2 12 2 1000cm /Vs；964cm /Vs，0.744×10 /cm ；0.877×10 /cm ，1.112×10 /cm 。从77K 到300K 的变温Hall 测试结果如图5 所示。从 150K 到300K，迁移率与T-3/2 成正比，说明在此温度 范围声学波散射是主要的散射机制。 5nm GaSb cap 10nm Al Ga Sb top barrier 0.75 0.25 7.5nm In Ga Sb well 0.4 0.6 21nm Al0.75Ga0.25Sb spacer 5nm Al0.75Ga0.25Sb 18 3 p-Be (