硅单晶上类金刚石薄膜织构和外延取向与界面价电子结构的关系.pdfVIP

中国科学 E 辑:技术科学 2007 年 第37 卷 第9 期: 1163~1169 SCIENCE IN CHINA PRESS 硅单晶上类金刚石薄膜织构和外延取向与 界面价电子结构的关系 * 李志林 李志峰 黄 钦 (北京化工大学材料科学与工程学院, 北京 100029) 摘要 金刚石和立方氮化硼薄膜由于其优异的性能已经获得了实际应用. 该类 薄膜的特定取向对其在光学和微电子学领域的应用有特殊意义. 用固体与分子经 验电子理论(EET)计算了衬底硅不同晶面与金刚石和立方氮化硼薄膜不同晶面的 相对电子密度差, 从计算结果分析认为, 对所研究的薄膜, 薄膜与基底界面的电 子密度差越小, 薄膜在热力学上越稳定, 界面的电子密度差是决定薄膜织构或外 延取向的本质原因. 这些推断与实验事实符合得很好. 该计算方法和理论不仅为 探讨金刚石和立方氮化硼在硅单晶表面上的薄膜生长机制提供了一个新视角, 还 可能为其他薄膜取向的预测提供指导. 关键词 薄膜 界面电子密度 织构 外延 金刚石 立方氮化硼 金刚石薄膜由于其优异的性能已经在光学、热学、压力传感器及高保真扬声器涂层和刀 具等方面获得实际应用. 由于其良好的化学稳定性、极高的击穿场强、高热导率、低介电常数、 高的载流子迁移率以及高达 5.5eV的禁带宽度, 故金刚石薄膜是制备在高温、高压和强辐射条 件下工作的微电子器件以及高频、大功率微波固体器件的理想材料, 其最有价值的应用领域是 在微电子学方面. 在微电子领域希望得到的是单晶材料[1], 然而目前气相沉积得到的薄膜大多 是多晶的杂乱取向膜, 所以金刚石薄膜在微电子方面获得更广泛的应用的前提是制备出取向 优良的织构膜, 最好是外延膜. 与其他织构取向或自由取向的金刚石膜相比, 具有(100) 织构 取向的金刚石薄膜具有较少的晶界、缺陷浓度和较平整的表面[2], 使其在光学和微电子学领域 获得了实际应用. 作为一种类金刚石材料, 立方氮化硼(c-BN)薄膜也具有极高的硬度, 是宽带 隙半导体材料. 而且c-BN相对于金刚石来说易掺杂, 可以掺杂成n型和p 型半导体, 所以c-BN 薄膜在光学和电学领域具有良好的应用前景. 由于Si与金刚石和c-BN 的结构和性质类似, 且单晶Si衬底比其他的单晶衬底更容易得到, 所以单晶Si是沉积金刚石和c-BN薄膜最常用的衬底, 其中以Si 的(100)和(111) 晶面最为常见. 收稿日期: 2006-10-10; 接受日期: 2007-02-14 教育部重点研究项目(批准号: 02018)和北京市自然科学基金(批准号: 2072014)资助项目 * E-mail: zhilinlibj@ 1164 中国科学 E 辑 技术科学 第 37 卷 近年来, 直接在Si单晶表面利用偏压成核沉积金刚石薄膜的报道越来越多, 而且偏压成核的技 术也应用于沉积c-BN薄膜[3,4]. 但国内外对外延形核和生长的影响因素的研究多集中于衬底偏 压、气体成分、衬底温度、沉积速率等工艺参数[5~8]. 实际上, 外延生长的取向强烈地依赖于 基底的取向, 织构形