n-GaAs同质结远红外探测器的研究.pdfVIP

第P七届全国半导体物理学术会汉论文集 中陶·长存2009年8月16u-20日 n-GaAs同质结远红外探测器的研究 张月蘅’，郑美妹．沈文忠 L海交通大学物理系上海200240 educrl Emaikyuehzhang@,sjtu 高性能的远红外探测器的研制是天体物理咀及新材料研究的需要．其发展的主要开标是 拓展探铡器的探测范围和提高器件性能。近年来， 。种同质结内发射功函数远红外探测 mIWln概念的提出和实现极大地丰富和发展了此领域。其突山的优点是截止渡K原则上町 以无限制延伸并且能够将探测器与现有的GIA$或sI丰于料工艺的相融合，关于这种探测器的 前期的研究主要集中在p-GaAs以及sl上，而n．GaAs由于其载流子有效质量特别小，在很 多方面显示出与p-OO．s以及si同质结探测器不同的独特性质，但关于n-GaAs阿质结远红 外探测器的研究还非常缺乏．已经报道的n-GaAsHIWIP探测器的量于效率离实际使用的要 求还相差很多。本文针对n-GaAsH