共溅射法制备MgxZn1-xO薄膜及光电性能研究.pdfVIP

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2017-09-03 发布于安徽
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共溅射法制备MgxZn1-xO薄膜及光电性能研究.pdf

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捅要禁带宽度从3．37eV～7．8eV间连续可调，在紫外探测和发射方面有广阔的应用前景。本论文采用双靶射频磁控共溅射法制备了Mg。Znl．。O薄膜，选用的衬底分别为蓝宝石、石英和Si。所制备的M歇Znl-xO薄膜进行了表征和分析，并讨论了工艺参数如溅射功率、溅射温度、退火温度等对薄膜结晶性能、光学性能的影响。采用湿化学刻蚀法在石英衬底的 MgxZnl．xO薄膜上制备了紫外探测器，并采用霍尔测试仪和光谱响应测试系统对探测器的I．V特性和光谱响应特性进行了表征。 20W；衬底温度研究结果表明：当ZnO靶溅射功率为70W、MgO靶溅射功率为1 属于肖特基接触。紫外响应截止边位于374Im附近，光谱响应度为O．0065～W。关键词：MgxZnl．XO薄膜共溅射溅射功率紫外探测器 ABSTRACT filmisanew ofbroadballd t11e M歇Znl．x0 tyI)e g印semiconductormaterial．By varying betuIledfrom3．37eVto7．8 that filmhas Mgcomposition，balldg印can eV，so MgxZnl-xO totheUVdetectorsa11d nuorescence．Intllis a淅dely印plicable emitting p印er，MgxZnl．x0 6lms、vere on a11d pr印ared Sisubs仃{ltes mdio sapphire，quartz bytwo—targetfrequency method． magne仃onco-sputtering Tlle offilmwere propenies characterizedwim X—ray electr．on UV-visiblenuorescence stlldiedthat microscope(SEM)and spec仃ometer，etc．We the efrectsof onthestlllcture and ofthe processp猢eters perfomance opticalproperties aS andso 丘1m，such on． sputt谢ngpow％Spu位e血gtenlp蹦mH℃a11da11nealing temperature A UVdetectorwas on substrateto wetchemicalmethod．And preparedquanz ad