孙会元固体物理基础第三章能带论课件3.10 金属费米面和能带论局限性.pptVIP

3.10 金属的费米面和能带论的局限性 本节主要内容: 一、费米面的构造 二、实际金属的费米面 三、能带论的局限性 对于绝缘体和半导体,由于没有部分填充的能带,因此费米面的概念失去意义,而代之以导带底附近或价带顶附近的等能面来描述绝缘体和半导体的性质.所以,金属也被称之为具有费米面的固体,这可能是目前描述金属的最好形式. 在 空间中,能量 为常数的点构成等能面。 能量等于费米能级 的等能面称为费米面。 在绝对温度零度时,电子将填满费米能级以下所有能量状态.此时费米面是电子的占据态与未占据态的分界面。 一、费米面的构造 金属的大部分电学性质,特别是电输运性质,是由费米面附近的电子态确定的,只有费米面附近的电子才有可能跃迁到附近的空态上去,电流就是因为费米面附近的能态占据状况发生变化引起的. 在第一章我们讨论过费米面，当时是基于自由电子模型讨论的，在绝对零度时，电子在k空间形成一个球，即费米球(Fermi sphere)，费米面为球面，其半径为费米波矢(Fermi wave vector) kF。 这一节在考虑晶格周期势场的影响后，再次讨论费米面。 在晶格周期势场存在时，费米面的意义不变，但是费米面的形状不一定是球面，其形状可能变得很复杂。 考虑到对于许多金属，近自由电子近似是一个很好的近似，所以，人们提出了一种从自由电子费米面过渡到近自由电子费米面的方法，称为哈里森(W.A. Harrison)构图法。 该构图法可以避开复杂的理论计算，对简单金属很有效。 哈里森(W.A. Harrison)构图法中需要注意的有： 1. 周期势场使得电子在布里渊区边界处产生能隙，形成能带结构，且是倒格矢的周期函数； 2. 周期势场几乎总使等能面垂直于布里渊区边界，并使得等能面上的尖角变圆滑（钝化）； 3. 费米面所包围的总体积仅仅依赖于电子密度，而不依赖于周期势的细节。 哈里森构图法的基本步骤为 1. 画出布里渊区的广延区图形； 2. 画出自由电子费米面(费米面的广延区图)； 3. 将落在各个布里渊区的费米球片断平移适当的倒格矢进入简约布里渊区中等价部位； 4. 对自由电子费米面加以修正，即费米面同布里渊区边界垂直相交，尖角处要钝化。 下面我们以二维正方晶格为例，从自由电子模型的费米面过渡到准自由电子模型的费米面，从而说明在绝对零度时，在弱周期场的作用下费米面的构造方法。 用哈里森构图法画出二维正方晶格的费米面： 1） 首先画出二维正方晶格的布里渊区 2)再以第一布里渊区中心为原点，以费米波矢为半径画圆，即得到自由电子的费米圆。 设面积为S的二维正方晶格结构的金属含有N个电子，每个原胞包含一个η价的金属原子，N个电子在基态时全部分布在费米园内，若二维正方晶格的晶格常量为a，则有 所以费米半径为 可见,费米半径与金属的价数η有关.当η = 1,3,5时, 相应的费米半径分别为 以第一布里渊区中心为原点,以费米波矢为半径画自由电子的费米圆. (费米面的广延区图) 3) 将落在各个布里渊区的费米球片断平移适当的倒格矢进入简约布里渊区中等价部位(费米面的简约区图)。 ?=1 第一区 ?=2，3 ?=4，5，6 第二区 第四区 第三区 第一区 4) 按照要求修正自由电子的费米圆，即费米面同布里渊区边界垂直相交，尖角处要钝化，就可以得到近自由电子的费米面。 二维正方晶格近自由电子的费米面简约区图示 近自由电子的费米面周期区图示 近自由电子费米面简约区图 ?=1 ?=2，3 第一区 第一区 第二区 ?=4，5，6 第一区 第二区 第三区 第四区 第一区 第一区 第一区 第二区 第二区 第三区 第四区 ?=4,5,6 自由电子费米面 简约区图 周期区图 ?=1 ?=2，3 当η = 1时整个费米面全在第一布里渊区中，所有占据态都在第一个能带； 近自由电子的费米面周期区图示 当η = 2或3时，第一个能带和第二个能带中都有电子占据态和非占据态存在. 且从费米面周期区图示中可知，费米面所围区域内没有电子分布的称为空穴型，费米面所围区域内被电子占据的称为电子型. 当η ≥ 4时，第一个能带是满带，其余带没填满，第二区出现空穴型费米面，第三区、第四区出现电子型费米面。 二、实际金属的费米面 一价碱金属(Li，Na，K，Rb，Cs)是体心立方结构，价电子只有一个 s 电子，形成固体时，s 态展宽成能带，半满占据。 在所有金属中，碱金属是唯一的费米面完全在一个布里渊区内，且近似为球形的金属，费米球没有和布里渊区界面相交。 假设晶格常数为a,其