Zn-Bi共掺杂Ba0．2Sr0．8TiO3陶瓷结构及介电性能的研究.pdfVIP

2013年6月 伊犁师范学院学报 (自然科学版) Jun．2Ol3 第 7卷 第2期 JournalofYiliNormalUniversity(NaturalScienceEdition) V0|I．7 NO．2 Zn．Bi共掺杂Bao．2Sro．8TiO3陶瓷 结构及介电性能的研究 邓春阳 ，周恒为 2，刘德成 ，马晓娇 ，徐凡华 ，衡 晓 ，尹红梅 (1．伊犁师范学院 物理科学与技术学院，新疆凝聚态相变与微结构实验室，新疆 伊宁 835000； 2．南京大学 物理学院，国家固体微结构重点实验室，江苏 南京 210093) 摘 要：采用传统固相反应法制备了ZnO的摩尔数为O．04，系列Zn-Bi共掺杂BaSrosTiO (BST)的陶瓷材料，包括BST+0．04ZnO+xBi：O，(X=0．02，0．025，0．03)．用x射线衍射、扫描电 子显微镜和变温介电谱方法，对它们的晶格结构、微观形貌和复介电常数进行了测量和分析．结 果表明： (1)Zn和 Bi进入到 BST晶格中并与之形成 ABO钙钛矿型固溶体； (2)随Bio 的掺入，陶瓷的室温晶系结构由立方相转变为四方相，同时出现在~120K的弥散相变转化为弛豫 相变； (3)Bi：O，掺杂对晶粒生长有明显的抑制作用，但晶粒之间的连接性增强，陶瓷的致密度 增加 ； (4)当T=300K，f=lHz，Bi：0，掺杂量为0．025mol时，陶瓷试样介电常数最大 (857)， 介 电损耗最小 (8×10)．上述结果对该类陶瓷掺杂改性研究以及弛豫相变机制探索无疑有一定 的参考价值． 关键词：铁电陶瓷；ZnO和Bio，共掺杂；固相反应；复介电常数 中图分类号：TQI74．75 文献标识码；A 文章编号：1673—999x (20l3)02一o043—O5 钛酸锶钡 (Ba】Sr~TiO3，简称BST)系铁电陶 常数、击穿强度都随着增大，而介电损耗则减小， 当ZnO的加入量为1．6％ (质量分数)时，材料的介 瓷材料具有高介电常数 (，)、低介电损耗 (tan ) 电常数利击穿强度达到最大值，而介 电损耗最小． 等优点，通过改变材料组成，可以在很宽的范围内 许春来等¨uJ在BST体系中掺杂微量Bj2O3后，发现随 调：材料的介电性质，因而该材料广泛应，}_fj于微型 Bi3+添加量的增加，相变介 电峰逐渐变宽，峰高逐 电 器、动态随机存储器、片式多层陶瓷电容器 渐降低，相变弥散效应增强，并且B 的掺杂能细 (MLCC)等的制备¨ ．由于BST陶瓷烧结温度较 化品粒，并显著降低BST体系的介 电常数．在复合 高，一般在1400℃左右，但微波频段介 电损耗较大， 掺杂方面，周洪庆等人 【“J研究了Bi2O3掺杂对钛酸 使其在某些领域应用受限，因此对该陶瓷掺杂改性 锶钡／钛酸镁 (BST／MT)复合体系介 电常数和介 电 研究成为研究者最为关注的问题． 损耗等性能的影响，研究发现，适量的掺杂能有效 在大量掺杂改性研究中，人们发现向BST陶瓷 改善体系的介电性能，当Bi2O3的掺杂质量分数为 中掺入一定量的金属氧化物 (ZnOL5J、MgOI6J、 0．8％时，陶瓷样品在微波频段的相对介电常数值为 Bi2o3【、Sb2O3[Sl等)，可改变BsT材料的微观结 l00左右，介电损耗约为2×10～． 构及介电性能．例如董桂霞等人 1在BST粉体中添 本文采用传统同相反应法制备了ZnO的摩尔数 ；0I~ZnO后，发现随ZnO添加量的增加，陶瓷的介电 为0．04的ZnO．Bi2O3共掺BST系列陶瓷材料，并系统 收稿 日期：2叭3 5--o1 基金项目：新疆 自治区科技厅 自然基金 (200821184)；新疆自