AlO衬底上GaN外延薄膜的制备.pdfVIP

( ) 中 国 科 学 E 　辑 第 28 卷 　第 1 期 SCIEN CE IN CHINA ( Series E) 　 1998 年 2 月 Al O / Si( 001) 衬底上 Ga N 2 3 外延薄膜的制备 汪连山　刘祥林 　昝育德 　汪 　度 　王 　俊 　陆大成 　王占国 ( 中国科学院半导体研究所 ,北京 100083) 摘要 　　利用低压金属有机物化学气相沉积方法在 Al O / Si (00 1) 衬底上制备出了 2 3 六方结构的 GaN 单晶薄膜. 厚度为 1. 1 μ ( ) m 的 GaN 薄膜的 0002 X 射线衍射峰半 ( ) 高宽是 72 arcmin ,薄膜的玛赛克 mo saic 结构是 X 射线衍射峰展宽的主要原因. 室温下 GaN 光致发光谱的带边峰位于 365 nm . 关键词 　　氮化镓外延薄膜的制备 　Al O / Si( 001) 衬底 　金属有机物化学气相沉积 　光致发光谱 2 3 氮化镓室温下的直接能带隙宽度是 3 . 39 eV ,它能应用于制作蓝光 、紫光 、紫外光二极管 和激光管等发光器件和高温电子器件[ 1～3 ] , 因此近年来 Ⅲ Ⅴ族氮化物材料已成为半导体材 料领域的热点之一 , 由于使用氮化镓或氮化铝缓冲层 ,外延氮化镓薄膜的质量显著改进[4 ,5 ] . 对掺镁氮化镓进行低能电子束辐照[6 ] 或氮气氛下的热退火[7 ] , 已经实现了p 型材料 ,氮化镓 基的蓝光二极管已有商品出售[ 8 ] . 由于缺乏体单晶氮化镓衬底 ,单晶氮化镓薄膜几乎都是在异质衬底上通过外延技术实现 ( ) ( ) 的 ,如氢化物气相外延 HV P E 、金属有机物化学气相沉积 MOCVD 、等离子体辅助分子束外 ( ) 延 ECRMB E 等. 已用于制备氮化镓的衬底有尖晶石 、碳化硅 、砷化镓和各种晶向的蓝宝石 衬底等. 硅被认为是生长氮化镓最有前景的衬底之一 ,因为它有许多优点 ,如高质量 、大尺寸 、 低成本. 如果氮化镓能外延在硅上 ,极有可能将氮化镓基的器件并入到硅基大规模集成电路 之中. 然而 ,这两种材料的晶体结构 、晶格常数和热膨胀系数存在较大差异 ,在氮化镓研究的 [9 ] ( ) 早期 ,硅上获得的氮化镓薄膜是非晶或多晶 . 近来 L ei 等人用分子束外延在 00 1 硅上实现 了主要是立方相混有少量六方相的单晶氮化镓薄膜[ 10 ] ,迄今 ,要直接在硅上获得单晶氮化镓 ( ) 薄膜仍较困难. 本文在p 型 00 1 硅衬底上沉积薄 Al O 过渡层 ,并以此为衬底 ,制备出了单 2 3 晶氮化镓薄膜. 1 　氮化镓薄膜的制备 (