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第26卷 第4期 Vol. 26, No. 4
2006 年11 月 RESEARCH PROGRESS OF SSE Nov. , 2006
X
Sub-100 nm NMOS Halo
1, 2 1, 2 2 2
汪 洋 王兵冰 黄 如 张 兴
1 2
( , , , 518055) ( , , 100871)
2005-12-05 , 2006-03-07
: -100
MOS Sub nm Halo
, -
Halo ISE
TCAD Halo , , Halo
, , SCEDIB ,
, Halo ,
:Halo; ; ;
:T N432; TN305. 3; TN303: A: 1000-3819( 2006) 04-445-05
Analysis and Optimization of Sub-100 nm NMOS with Halo
WA NG Yang1, 2WA NG Bingbing1, 2HUANG Ru2 ZHAN G Xing2
1
( Peking Univ ersity Shenz hen Grad uate S chool, Shenz hen, Guang dong , 518055, CH N )
2
( Institute of M icroelectronics , Peking Univ ersity , Beij ing, 100871, CH N)
Abstract: The Short-channel effect ( SCE) is one of the key challenges we have to deal with
when the feature size of the MOS devices is scaling down into the sub-100 nm regime T he Halo.
structure device can restrain the SCE effectively, and improve the device performance greatly
with good doping distribution in the Halo region. In this paper, influence of Halo process
- .
parameter on device performance
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