掺杂纳米硅薄膜中电子自旋共振研究.pdfVIP

第 50 卷 第 3 期 2001 年 3 月 物 　理 　学 　报 Vol. 50 ,No. 3 ,March ,2001 ( ) 2001/ 50 03 / 051205 ACTA PHYSICA SIN ICA 2001 Chin. Phys. Soc. 掺杂纳米硅薄膜中电子自旋共振研究 刘湘娜1) 　徐刚毅2) 　眭云霞3) 　何宇亮1) 　鲍希茂1) 1) (南京大学物理系 , 固体微结构物理国家重点实验室 ,南京 　210093) 2) ( 中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室 ,上海 　200050) 3) (南京大学现代分析中心 ,南京 　210093) (2000 年 7 月 30 日收到 ;2000 年 9 月 14 日收到修改稿) ( ) ( ) 　　研究了掺杂纳米硅薄膜 nc ∶Si ∶H 中的电子自旋共振 ESR 及与之相关的缺陷态. 样品是用等离子体增强化 学气相沉积方法制成 , 为两相结构 ,即纳米晶粒镶嵌于非晶本体之中. 对掺磷的 ncSi ∶H 样品 ,测量出其 ESR 信号 Δ ( ) - 4 17 - 3 的 g 值为 1. 9990 —1. 9991 ,线宽 Hpp 为 40 —42 ×10 T ,ESR 密度 N ss为 10 cm 数量级. 对掺硼的ncSi ∶H 样 Δ - 4 16 - 3 品 ,其 ESR 信号的 g 值为 2. 0076 —2. 0078 , Hpp 约为 18 ×10 T , N ss为 10 cm 数量级. 结合有关这种薄膜的微 结构及导电等特性分析 ,对上述 ESR 来源 ,其线宽及密度等进行了解释. 认为掺磷的 ESR 信号来源于纳米晶粒/ 非 晶本体界面处高密度缺陷态上的未配对电子 ,而掺硼的 ESR 信号来源于非晶本体中 aSi ∶H 结缔组织的价带带尾 态上的未配对电子. 关键词 : 纳米硅薄膜 , 微结构 , 电子自旋共振 PACC : 6116N , 6170 Y , 6190 　　用多种方法制备的含纳米尺寸 晶粒 的硅薄 为反应气源 ; (2) 在样品衬底上 , 除了施加射频功率 膜[1 —5 ] , 由于具有室温光致发光特性而成为当今研 外 ,还同时施加了适当的直流负偏压. 硅烷稀释的气 究的热门课题. 近年来 ,我们曾用等离子体增强化学 体体积比 SiH / ( SiH + H ) = (0. 5 —1. 0) %. 在汽 4 4 2 ( ) ( ) 气相沉积 PECVD 方法 ,制备成嵌有纳米晶粒的非