CuO掺杂对W03压敏电阻微结构和电学性能的影响.pdfVIP

，力 能 财 斟 2009年第12期(4o)卷 CuO掺杂对 WO3压敏 电阻微结构和 电学性能的影响 赵洪旺 ，花 中秋。，李统业。，陈汉军h。，董 亮 ，王 豫h (1．西南交通大学 材料科学与工程学院，四川 成都 610031； 2．西南交通大学 超导研究开发中心 ，四川 成都 610031) 摘 要： 研完了CuO掺 杂对 W()3压敏 电阻微 结构 和 电学行为的影响，样品采用传统 的陶瓷工 艺制备。 微结构通过扫描 电子显微镜 (SEM)观察 ，相结构和成 分借助于X射线衍射 (XRD)和能谱 (EDS)进行分析。 结果表 明，微量的CuO掺 杂能够促进 Wo。陶瓷的致 密化和晶粒生长。根据 特性测量结果 ，0．2 (摩 尔分数)Cu0掺杂的wO3陶瓷具有线性伏安特性和 极 小的电阻率。Cu0含 量 的继续增加使 样 品的非线 性电学行为和 电阻率又获得恢复，这是 因为偏析于晶 界处的Cu0与两侧 的晶粒形成 了n—P—n型的双 肖特基 势垒。 关键词： 压敏电阻；导电陶瓷 ；WO。；CuO 中图分类号 ： TN304 文献标识码 ：A 文章编号 ：1001—9731(2009)12—2004—04 l 引 言 压敏电阻是具有非线性 电学行为的陶瓷器件 ，主 要应用于抗浪涌、电路 的过压保护 以及微 电子电路 中[1]。尽管 ZnO压敏电阻器在电压敏感元件 中占有 主导的统治地位，然而，由于 ZnO的压敏电压高，且是 a一= —————：一 ㈣lJ 纯电阻性元件，介 电常数小，介 电损耗大，吸收高频噪 logf l 声及对陡峭脉冲浪涌响应速度慢 ，因此在 以低电压和 小电流为特征的电子线路 中，ZnO压敏电阻器的应用 受到了一定的限制[3“]。1994年 ，Makarov和 Trontelj 首先报道了wO。陶瓷的非线性 电学行为L5]。这种材 料具有较低的转变电压 ，可用于微电子电路的保护，同 时表现出良好 的介 电性能 ，在 吸收电路中放 出的电荷 方面具有独特的优势6【]。然而过去的研究大多集 中在 其性能改善上 ，对其导 电机理没有进行系统 的研 究ET,S3。Cu0是一种 P型半导体材料 ，具有氧过量 的 特性[93。本文引人 Cu0掺杂研究wO。压敏 电阻的导 电机理，是因为对于 ZnO压敏电阻有一种观点认为其 非线性 电学行为起源于过量 的氧吸附于 晶界表面 上[1 ]。引入CuO的目的是使其影响具有 n型半导 体特性的WO。陶瓷晶界的电输运过程，结合现代的分 析测试手段，研究其非线性 电学行为的本质。 2 实 验 实验用原料采用分析纯 的 WO。(99 )和 CuO * 基金项 目：国家 自然科学基金资助项 目 收到初稿 日期 ：2009—06—01 收到修改稿 日期 ：2009—09—10 通讯作者 ：赵洪旺 作者简介：赵洪旺 (1983一)，男，河南商丘人，在读硕士，师承王豫教授，从事钨基氧化物功能材料研究。 赵洪旺 等 ：CuO掺杂对 WO。压敏电阻微结构和电学性能的影响 2005 转折点。 这些现象表明掺人 的CuO对 WOs陶瓷的内部电 输运过程产生 了重要影 响。为 了了解 CuO掺杂对 WO。陶瓷的导电机理的影 响，有必要对陶瓷样品的结 构进行深入的研究 。 图2和 3分别是不 同CuO含量 的WO。陶瓷的X