Fe的不同掺杂量对ZnO薄膜光致发光的影响.pdfVIP

周婷婷 等：Fe的不 同掺杂量对 ZnO薄膜光致发光 的影 响 Fe的不同掺杂量对 ZnO薄膜光致发光的影响 周婷婷 ，马书懿，毛雷鸣，丁继军 ，史新福 (iN北师范大学 物理与电子工程学院，甘肃 兰州 730070) 摘 要： 采用射频磁控溅射在玻璃衬底 上制备 了不 干燥 N 气 吹干后迅 速放人真 空室，以纯度优 于 同掺杂量的Fe—ZnO薄膜 ，分析不同掺杂量对薄膜光 99．99 Ar为工作气体 ，50min后能使真空室达到 学性能的影响。利用 X射 线衍射仪 (XRD)和原子力 10一Pa，。控制溅射过程 中工作气压为 2．0Pa，Ar表 显微镜 (AFM)研究Fe—ZnO薄膜的微观结构和形貌结 观质量流量为 20ml／min，基片温度为 250℃。所有样 构 。Fe—Zn0薄膜光 致发光 (PL)性质 的研 究发现 ，发 品制备过程 中，溅射功率 100W ，样 品沉积时间 1h。 光峰主要有蓝光发射和绿光发射 ，蓝光发射主要是 由 薄膜光致荧光光谱采用美 国PerkinElmer公司 于 电子从导带向锌 空位形成 的浅受主能级上的跃 迁； 生产的LS一55的荧光／磷光分光光度计，对样 品进行 绿光发射是 由于 电子从 氧空位到锌 空位 的能级跃迁及 PL谱的测量，其光谱范围为 200~850nm，激发光源为 导带底到氧错位缺陷能级的跃迁。由透射谱和吸收谱 波长 220nm 的脉冲氙灯 。薄膜 的形貌结构采用 日本 分析，Fe-ZnO薄膜在可见光区的平均透过率为 66 ， 岛津公司生产 的SPM～95O0原子力显微镜 (AFM)观 掺杂量为 2 Fe的薄膜 的禁带宽度最接近于 ZnO 的 察 。利用 日本理学公司生产的D／Max一2400粉末x射 禁带宽度 。 线衍射仪 (CuKa，一0．15406nm)对薄膜微结构进行 关键词 ： 掺杂 ；光致发光 ；跃迁 ；透射 了分析。样 品的吸收谱及透射谱采用 SHIMADZU 中图分类号： O484．1；0484．41 文献标识码 ：A UV-2550PC型紫外分光光度计测量 ，测量范 围为 200 文章编号：1001—9731(2009)12—1961～O3 ～ 800nm 。 1 引 言 3 实验结果与讨论 ZnO是一种具有宽带隙 Ⅱ一Ⅵ 族半导体材料，激 图 1(a)、(b)和 (c)分别为不 同掺杂量的 Fe-ZnO 子束缚能为 60meV，禁带宽度为 3．37eV，在光 电子器 薄膜的表面形貌 ，(d)为 ZnO薄膜的表面形貌。样品 件和半导体 自旋电子学等领域有着极为重要 的应用前 的表面粗糙度分别为 (a)17．385nm、(b)19．434nm、(c) 景 。近年来 ，在半导体中掺杂磁性离子，形成稀磁特性 9．855nm、(d)3．722nm。所有样 品的晶界都很明显， 的新型半导体功能材料 的方法 引起 了人们 的广泛关 表面比较平整且粗糙度较低 ，晶粒沿着一个方向生长。 注。当前寻找室温下呈现磁性的 自旋 电子学材料，成 随着 Fe的掺杂量的增加 ，晶粒尺寸变小 ，这说明Fe已 为很多实验工作者研究 自旋 电子学材料 的热点。Fe 进入ZnO晶格并且通过掺杂的方式改变ZnO的结构。 本身呈现磁性 ，若能代替Zn抖的位置，则 Fe—ZnO薄膜 图2为不 同掺杂量 Fe制备 的 Fe-ZnO薄膜 的 有可能在室温下呈现铁磁性 ，这已经被理论所证实[1]。 XRD谱 。从图2中可以看到 ，所用样 品均出现了较强 目前制备 ZnO薄膜的方法有很多，如射频磁控溅射 的ZnO(Oo2)的衍射峰，说明薄膜具有好的C轴垂直于 法[2]，直流反应溅射法[，溶胶一凝胶法 ，脉冲激光沉 衬底的择优取向，没有出现Fe的其它杂相。同时发现 积法[5