单芯片白光发光二极管又有进展.pdfVIP

口 鲎星l 一．一一一辫一嚣一懑一一。≯一一；一一一一一一霈 过器 件 的电流 ，就 能够 非破 坏 性地 读 取事 先 写入 铁 电薄膜 中的极 化状 态 ，从 而 实 现 了铁 电 场效应 晶体管 的存 储 功能 。他们 首次展示 了这 种非 易失存 储 器件 的非破 环性读取 特 性 ，而 且 器件 可 以进 行 大量多次 的可重 复性操作 。由于单壁 碳 纳米 管超 细尺 寸导致 的电场增 强效 应 ，存储 器可 以在 小于 1伏 的操作 电压 下工 作 。他们 对该类存储 器 件 的发 明 申请 了专 利 ，相 关研 究结 果发 表在 近期 的NanoLetters上 。 求解强排斥相互作用极限下的自旋 1／2的费米量子气模型取得重要进展 物理 所 ／北 京 凝 聚态物 理 国家 实验 室 T01组 陈澍研 究 员 、王玉 鹏研 究 员及 博 士生 关黎 民与 高 能物 理 所 马 中骐研 究 员合 作 ，利 用置换 群 的表 示 理论 结合 硬核接 触边 界条件 ，构造 了总 自旋 为 S的严 格本 征态 。在 无穷排斥 极 限下 ，所 有 这些态 都是 简并 的。根据 Lieb—Mattis 定理 ．对有 限大排斥 作用 ，系统 的基 态对 应 自旋 S最 小 的态 。因此 S最小 的硬 核解 可用 于描 述强 排斥作 用 系统 的基 态 。通 过 与小 系统 精确 对角 化 的结果 比较 ，他们 发 现解 析 的结 果 同 数值 的结果 符 合很好 。并进 一步 证 明 了对 于粒 子数 为 N 的费米 系统 。他 们 的解 析 解具有很 强 的普适性 ，不 依赖 具体 的外加 束 缚势场 。上 述理 论工 作 ，对 进 一步研 究硬核 费米 气体 有指 导意 义 。上 述结 果发 表在 Phys．Rev．Lett．上 ． 单芯片 白光发光二极管又有进展 物 理所 ／北京凝 聚态物 理 国家 实验 室 陈弘研究组采 用 InGaN 的应 力 调制 层 ，实现 了对 InGaN／GaN 多量 子 阱的应力 调制 和控 制 ，成功研 制 出单 芯片 白光 发光 器 件 。研究成果 发表 在 AppLPhys．Lett．后 ，引起 了 国际上在 产 业界 关注度 极 高 的化 合 物半 导体杂 志 的关注 ，在 2007年 12月 10 日的 “ResearchReview”专 栏进 行 了报道 。最近 ，该研究组对单 芯片 白光 的 发 光机 理研 究又 获进 展 。在 量子 阱下 面采 用不 同 的 InGaN 层厚 度 得到绿 光 、黄绿 光 和 白光 ， 证 明 InGaN 的应 力是 得 到 白光 的重 要原 因 ，研 究 成果 发 表在 App1．Phys．Lett．上 ，Compound semiconductor4月 14 日在 News栏 目以 “Straintunesquantum—dotLEDwavelength”为 题进 行 了报 道 。 500MHz超导腔高功率输入耦合器 自主研制取得突破性进展 高 能物理 所 承担 的 国家 自然 科学基金 项 目 “500MHz超 导腔 高 功率 输 入耦 合器 ”于 4 月 14 日通 过 鉴定 。专 家组对 项 目所取 得 的成果给予 了高度评 价 ，认 为高 能所 在 BEPCII工 程 中 ，积极 开 展射频 超 导加速 系 统关键 部件 的研 究 ，符合 我 国科技创 新 的发 展方 针 。输 入耦