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维普资讯 第28卷 第5期 发 光 学 报 V01．28 No．5 2007年 1O月 CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE Oct．，2007 文章编号：1000-7032(2007)05-0724-06 不同厚度 CdSe阱层的表面上 自组织CdSe量子点的发光性质 胡学兵 ，郑著宏h，公维炜 ，郑金桔 ，高 威 ， (1．中国科学院激发态物理重点实验室，吉林 长春 130033；2．中国科学院研究生院，北京 100049) 捅要 ：利用变温和变激发功率分别研究了不同厚度CdSe阱层的自组织 CdSe量子点的发光。稳态变温光谱 表明：低温下CdSe量子阱有很强的发光，高温猝灭 ，而其表面上的量子点发光可持续到室温，原因归结于量子 点的三维量子尺寸限制效应 ；变激发功率光谱表明：量子点激子发光是典型的自由激子发光，且在功率增加 时，宽阱层表面上的CdSe量子点有明显的带填充效应。通过比较不同CdSe阱层厚度的样品的发光，发现其 表面上量子点的发光差异较大，这可以归结为阱层厚度不同导致应变弛豫的程度不同，直接决定了所形成量 子点的大小与空间分布…。 关 键 词：S-K模式 ；自组织生长；CdSe量子点；发光 中图分类号：0482．31 PACC：3250F；7855 文献标识码：A 功率激发谱 的测量技术，系统地研究了自组织 1 引 言 CdSe量子点的发光特性，观测了其随温度变化而 自组织半导体量子点通用的制取方法现在有 变化的激子复合过程以及在低温下变激发功率时 两种，即：Stranski—Krastanow(S—K)模式与Volmer— 的态填充效应。对 自组织量子点的激子特性的研 Weber(V—W)模式。采用 S—K模式生长 自组织量 究，可以对 自组织量子点的生长有一定的指导作 子点(SAQD)由于制备方法简单、表面缺陷少、无 用；通过对 ZnSe基中不同CdSe阱层厚度的表面 位错等特点而成为 目前制备高质量量子点的主要 上 自组织CdSe量子点的发光比较，观察到了量子 方法。对于量子点而言，因其载流子在三个维度 点发光的较大差异，从而得到了CdSe阱层的厚度 上受到量子限制而具有独特的物理性质 ¨2]，如 直接影响应变弛豫的效果。 有类原子的能级结构，因而成为现在研究热点之 2 实 验 一 ， 并有望取代量子阱作为许多光学和光电子学 器件的激活层，成为新一代光电子器件的优选材 实验中所用的自组织生长CdSe量子点样品 料，如低功耗的光发射二极管，低阈值电流、高临 是用双室MBE系统在GaAs(110)衬底上生长的， 界温度的激光器 ，以及高灵敏度的光电探测器 一 个预生长室用来解理衬底，另一个用于外延生 等 。Ⅱ一Ⅵ族化合物属于宽禁带半导体材料， 长。样品是在 GsAs衬底上首先生长 100nm的 是制作蓝绿激光器的优选材料，自Nakayam等人 ZnSe过渡层、再外延 3个 (10个)单原子层 (mo— 于 1993年成功地在ZnCdSe／ZnSe量子阱结构材 nolayer，ML)的CdSe阱层，自组织CdSe量子点在 料中第一次实现了室温连续运转的蓝绿光半导体 CdSe阱层表面上生长，最后生长 50nm 的ZnSe 激光器以来，近十年来特别是对 自组织的CdSe— 垒层。在生长的过程中没有时间中断，生长温度 ZnSe复合结构材料的研究掀起了