添加复合氧化物掺杂剂的抗还原BCTZ系陶瓷的制备和介电性质研究.pdfVIP

2004年中国电子学会第十三届电子元件学术年会论文集 添加复合氧化物掺杂剂的抗还原BCTZ系陶瓷 的制备和介电性质研究 王升周晓华张树人李波陈祝 电子}}技大学微电子与固体电子学院成都610054 摘要：本文提出了一种制备抗还原BcTz系陶瓷材料的新工艺。采用溶胶一凝肢法在500—800cc 下合成复合氧化物掺杂剂。此掺杂剂与水热法合成的超细(8at．n“T1，#n地粉体混合璩蘑可得抗还原介质 瓷料，该瓷料可在还原性气氛中烧成适用于贱金属电板的，具有高介电常数和低介质损耗的多层陶瓷电客 器陶瓷材料。本文讨论了复合氧化物掺杂剂的合成温度、陶瓷烧结温度和退火时问等工艺参数对陶瓷介电 性能和徽结构的影响。研究表明．在低温下合成的纳米颗粒的复合氧化物掺杂剂(纳米掺杂剂)很适合超 细瓷料的掺杂改性。在500—800cc内，复合氧化物掺杂剂的合成温度升高将导致BCTz系胸瓷的居里点、 介质损耗和介电常数量大值的降低。对陶瓷烧结工艺的研究表明，呆用此新工艺可获得室温相对介电常数 不小于18000，介质损耗偃于O．7鬈，绝缘电阻率达到1 012n·aII。居里点在5屯到20屯之问可调。平均晶 粒尺寸＆小于4斗m的符合聊标准的BCTz系抗还原介质阳瓷材料。谈新工艺可望用于大容量Y鲥镶内 电极多层陶瓷电容嚣的生产。 美■词：Ni内电板多层陶瓷电容嚣；BCTz系胸瓷；复合氯化物掺杂剂；起细瓷抖；溶胶一凝胶法 1．引言 近年来， 为满足高速发展的科学技术的要求，多层陶瓷电容器(MLCC)介质材料不断朝 着大容量(高介)、多层化(原料超细化)、微型化(高介。原料超细化)、内电极贱金属化(以贱 金属镰和铜代替贵金属钯和银作为内电极)和低损耗的方向发展“1。为制备大容量和小型化的 u 的介质膜层已经达到1．8m．这代表了镍内电极MBCC先进生产技术的发展趋势。MLCC介质膜 层的减薄要求原料颗粒尺寸的减小，实现瓷料的超细化。在札CC生产中，原料粒径超标将造 成MLCC的初始绝缘电阻不合格率增大等一系列问题”3，所用原料的颗粒尺寸的控制问题已经 成为保证MLCC产品质量的关键技术之一。传统固相法工艺制各的陶瓷材料存在颗粒尺寸大。 粒径不均匀等缺陷，往往造成瓷体中存在大量的气孔和空洞．严重影响介质膜层的性能。并且 随介质膜层的减薄，这种影响将越来越大”1。因而采用亚微米级的超细原料已成为大容量镍电 极MLCC的工艺基础，进一步而言，亚微米级的超细原料的使用又对改性掺杂剂的制备提出了 更高的要求。为此国内外研究者发展了溶胶一凝胶包覆法“’，水溶液包覆法”1等技术以达到在 瓷料制各中掺杂剂的粒径控制和均匀分布；此外，也可用溶胶一凝胶法直接制备Ni-IILCC瓷料 ”’。然而这些制备超细瓷料的方法都不同程度的存在着设备和操作复杂，生产周期长，原料和 辅助材料昂贵等缺陷，导致其在生产实践中受到种种限制。本工作试图以正硅酸乙酯的形式引 入MLCC的助熔剂Si02，将其它掺杂剂以硝酸盐的形式与正硅酸乙酯前驱体反应实现溶胶一凝 ．211． 胶过程，再经过热处理反应得到具有纳米尺度的掺杂剂粉末。利用此方法制备的纳米掺杂剂与 开发出适用于NI-MLCC工艺的高性能超细介质瓷料。 2实验 2．1复合氧化物掺杂剂的制备 剂，Ⅲ如溶液为催化剂制备溶胶，将此溶胶陈化一天后在85C下烘烤得干凝胶。此干凝胶在500 800℃下热处理即可得到复合氧化物掺杂剂粉体。 #、700#和800#掺杂剂。 2．2BCTZ系瓷料的制备、烧结及成瓷的介电性能测试 u 将水热法合成的平均粒径为0．3m的(B{h筘钆m)tm．(Tin越hm)凸粉料与溶胶一凝胶法制 备的复合氧化物掺杂荆以100：X(O．25≤x≤3)混合，在等质量的去离子水中以03m的钇稳定化 Im的【翅片， 锆球球磨8h，经烘干。过筛，与5％(质量百分比)的PV^混合造粒，压成olOmX 测