在c面蓝宝石上生长的InN外延薄膜中位错与极性的TEM研究.pdfVIP

电子显微学报J．Chin．Elec口r．Microsc．Soc 2005年 25(增刊)：95—96 C 在 面蓝宝石上生长的InN外延薄膜中 位错与极性的TEM研究 卢朝靖1，李金华1，段晓峰2 (1．湖北大学物理学与电子技术学院，湖北武汉430062； 2．中国科学院物理研宛所北京电子显微镜实验室，北京100080) 有关GaN和富Ga的InGaN薄膜中的位错和极 斯矢量为(113)(1120)。因此，薄膜中有伯格斯矢量 性已有TEM研究，而InN和富IIl的InGaN薄膜却少 为a、c和a+f的三种位错，4=(1／3)(1120和c 见报道。研究InN薄膜中的缺陷和极性对生长高质 =[0001]是六角纤锌矿的格矢。 量的InN薄膜很有意义。本文用TEM研究在c面穿透位错之间的相互作用，位错终止或者并合， 蓝宝石上分子束外延生长的InN(760hm)／GaN 使InN薄膜的穿透位错密度在InN／GaN界面以上 (245nm)／AlN(14rim)薄膜中的穿透位错和极性。它 们的取向关系为(0001)InN／／(0001)(；aN／I(0001) x caN界面附近，穿透位错密度从GaN侧的。1．5 20]INN／／[1120]GaN／／[111011 AIN／／(0001)pAk0，和[II 20]AlN，，[1 100]a-Ah03。 于在蓝宝石衬底和GaN之间大的晶格失配(一 l 16％)和不同热膨胀系数，在GaN中形成高密度的 图1是同一截面区域在g=(o002)和g=(1 oo)时拍摄的两张弱束暗场像。可见，高密度的穿透 穿透位错。与失配位错相关的两穿透位错在AINla． 位错是InN和GaⅣ层中的主要缺陷。这些穿透位错A1203界面形成半回路。当高密度的穿透位错半回 一般沿与衬底表面垂直的方向传播。在InN界面附 路在InN／GaN界面与高密度的失配位错网相遇时， 位错间相互作用的几率非常大。大多数穿透位错与 近的位错线方向很不规则。当g=(0002)时大多数 穿透位错不出现衬度。根据g·b判据，多数穿透位 在111N／GaN界面位错形成闭合回路而终止传播，如 错的伯格斯矢量b与衬底表面平行(即为刃型位 图3中②和④。在GaNIAlN界面也能形成闭合回 错)，如图1中的第3条～5条位错。图1d中所有路，如③，但发生这种情况的几率低得多，因为该界 可见的穿透位错有与衬底表面垂直的螺分量，如第 面上的失配位错密度低。当然，有些位错穿透所有 1和第2。穿透位错6在图10和lb两种情况都有 界面，如①；也有在InN或CaN层中相遇形成回路的 衬度，说明它是混合型位错。在图lo中可见的其 情况，如⑤和⑥。另外，在界面处InN生长的起始阶 它穿透位错是螺位错。显然，螺位错和混合型位错 段也能发生新的位错半回路。 的密度比刃位错的低得多。 我们还用会聚束电子衍射确定了GaN缓冲层 用大角度会聚束电子衍射技术确定了InN薄 膜中的螺型穿透位错的伯格斯矢量。图2a显示 层会聚束电子衍射花样。(0002)和(0002)衍射盘呈 (0006)衍射线与图l中位错1—3的相互作用。可明显不对称，(0002)衍射盘内是亮条纹，而(0002)为 见，该衍射线在与螺位错1作用处分裂成7段，与螺 位错2和刃位错3交接处该衍射线在反方向分裂成