异质结电池衬底表面陷光研究.pdfVIP

第 13 届中国光伏大会（CPVC13）论文集 异质结电池衬底表面陷光研究 赵振越，王奉友，姜元建，杜 建，王 菁，赵 颖，张晓丹 （南开大学光电子薄膜器件与技术研究所，天津 300071 ） 摘 要：异质结（HIT ）太阳电池作为备受关注的新型高效太阳电池，它是在单晶硅表 面沉积非晶硅薄膜制备而成的，所以将绒面结构的单晶硅衬底用于 HIT 太阳电池，可 以增强电池的光吸收效率。本文通过化学湿法腐蚀对单晶硅衬底表面进行制绒，研究并 优化 IPA 浓度和时间，并在 N 型单晶硅衬底上反射率在波长为 1011nm 处最初的 34.5% 降低到了 9.44% 。 关键词：制绒；HIT 太阳电池；金字塔；反射率 1 引言 次反射从而达到陷光的作用，同时增加了 HIT (Heterojunction with Intrinsic 太阳电池的表面积，增强了 HIT 太阳电池 Thin layer)太阳电池是带有本征薄层的异 对于太阳光的吸收从而增大电池的短路 质结太阳电池，它是在晶体硅衬底上沉积 电流和转换效率。本文主要是研究HIT 电 非晶硅薄膜制备而成的，它具有制备工艺 池衬底的陷光，利用 NaOH/IPA 碱制绒体 温度低、转换效率高、高温特性好等特点， 系对 HIT 电池衬底进行制绒，通过优化和 是一种低成本高效的太阳电池，近年来备 分析 IPA 浓度和腐蚀时间，从而优化 HIT [1] 受公司和广大科研院所的关注 。HIT 太 电池衬底的陷光作用。优化结果：N 型单 阳电池是日本三洋公司的专利技术，2011 晶硅衬底制绒后，在波长为 1014nm 处， 年其实验室的转换效率已经达到 23.7% 最低反射率从最初的 34.5% 降低到了 2 (100.4cm ) ，其中开路电压Voc=0.729V ， 9.44% 。 2 [2] Jsc=39.5mA/cm ，FF=0.8 ，2013 年据日 2 实验 经 BP 社报道，实验室实现了 HIT 太阳电 2．1 实验原料及设备 池 24.7% 的转换效率，达到了 100 平方厘 实验采用的衬底材料是 N 型和 P 型 米以上实用尺寸结晶硅太阳能电池单元 CZ 切割单晶硅片，硅片均为（100）晶向， 全球最高转换效率。HIT 太阳电池的优化 电阻率 1-3Ω•cm，尺寸P 型（100）CZ 片 包含四个方面的工作，衬底陷光、界面钝 是 23mm×23mm ，N 型（100）CZ 片和 N 化、栅线电极和透明导电膜（ITO ）。对 型（111）抛光片是直径为 51mm 的 1/4 于单晶硅衬底制绒可以使单晶硅衬底表 圆片。实验设备采用由常州捷佳创公司和 面织构化，出现类似于金字塔的结构，这 南开大学共同研发的手动实验清洗制绒 种结构可以使太阳光在衬底表面进行多 238 第 13 届中国光伏大会（CPVC13）论文集 机，绒面金字塔结构采用扫电子显微镜 30min 的反应过程中IPA 会有挥发流失的 型号为 ZEISS 公司的 SUPRA 55VP 进行 情况，而且 2% 的IPA 本身浓度就比较低， 观察，反射率用型号为 Varian-Cary 5000 所以溶液中IPA 的含量不稳定会对溶液组 的紫外-可见光-近红外分光光度计