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金属铝合金侵蚀研究 陈志勇彭力莫科伟 (无锡微电子科研中心第二研究室214035) 摘要本文研究了在半导体生产中出现的金属铝合佥侵蚀现象，分析了金属侵蚀的机理， 最后给出了金属侵蚀的防护方法． 关键字侵蚀金属腐蚀半导体工艺 1引言 金属刻蚀工艺是集成电路生产中的关键工艺之一，是影响器件成品率和可靠性的关键工 序。随着等离子腐蚀干刻技术的广泛应用，刻铝之后，当硅片暴露在大气之下时，极易产生 侵蚀现象，侵蚀会使金属布线发生短路或断路，导致器件失效和成品率下降。因此，防止金 属侵蚀是IC制造中的一个重要的课题。 2常用的几种金属布线材料 (1)纯铝． 纯铝的特点是电阻率较小，是除Cu、Au以外的优良导体，并且价格便宜、易于加工。而 Cu、Au虽然电阻率较Al更小，却难于加工。 纯铝的缺点是：容易发生Al、Sj互溶(即铝钉效应、Spiking效应)、电迁移和形成小丘 (hillock)。 (2)A1．Si 典型的是加入1％的Si(也有加O．7％和0．8％的Si)，超过Si在Al中的溶解度0．8％左右。 无改善。 (3)A1-Cu 典型的是加入O．5％的Cu(这是Cu在Al中的溶解度)，如果加入的Cu高于O．5％，超过 其溶解度部分的Cu会在晶粒边缘析出。A1．Cu合金可以改善电迁移和减少小丘形成 (hillocking)。 缺点：不能防止铝钉效应，Cu的腐蚀速率比Al要慢，Cu的存在使侵蚀很容易发生并且 有Cu析出问题。 “)A1．Si．Cu 典型的是加入O．5％的Cu、l％的Si，A1．Si．Cu合金可以有效防止铝钉效应、改善电迁移 和减少小丘形成(hillocking)。 缺点：存在Si、Cu析出问题(如果Sj在接触孔处析出，会影响接触)，并且更容易发生 侵蚀。 (5)带阻挡层(Barrier)和防反射层(ARC)的铝合金 典型结构如下图： —— 铝 Ba 氢 很强，都会给曝光带来困难，采用防反射层(ARC)可以吸收界面的光，阻止反射。常用材 料有TiW厂riN。 Barrier层：用于阻止Al、Si互溶。常用材料有TiW、TiN／Ti。 生。 3Al合金的侵蚀现象及机理实验分析 为了观察和研究侵蚀现象，我们在无锡微电子科研中心工艺线进行了几组对比实验。实 验中Al淀积设备为Varian3180，干刻设备为AM8330，清洗在EKC清洗台上完成。 (1)AM8330铝合金干法刻蚀技术简介 考虑到反应副产物的挥发性问题，工业界～般用含氯的气体来刻蚀，如C12、BCl3、CCl4、 CHCl3、CCl2F2等，或者是其混合物及一些添加气体，使反应的生成物为A1C13。 AM8330铝合金刻蚀工艺分为五个步骤： 第一步，去除Al膜表面层的自然氧化层A1203，这一步通常称为Breakthrough。 第二步，为主腐蚀，采用C12、BCl3，并加入少量CHF3； 第三步，为过腐蚀，过腐量的确定必须既要保证没有A1合金残余，又要保证胶不被吃光， 一般过腐的速率较主腐蚀要慢； 第四步、第五步为钝化保护，其中第四步采用CF。气体，使F、CI进行置换：第五步采用 CF4、CHF3气体，目的是在已刻蚀好的Al条边缘形成一层有机聚合物保护膜，从而使Al条 侧壁残留的Cl和大气隔断开。 (2)Al合金的侵蚀现象 当铝及其合金暴露在大气中时，常常会发生侵蚀现象(也有人称之为后腐蚀)。表征为在Al 铝条断开。 89 图I铝侵蚀坑(pitting) 图2铝侵蚀缺口 (3)可能引起侵蚀的原因 ·干法刻蚀时氯离子引起； 发生侵蚀的主要是因为刻蚀气体含氯。在铝刻