基于MOS结构的氧化锌发光器件的研究.pdfVIP

第叶哼}届全国化奢物半导俸．做玻曩l件和光电■‘件掌术唾戗 投稿分类号：OED 基于MOS结构的氧化锌发光器件的研究 赵旺1，赵龙1，夏晓川2，史志锋1，王辉1，董鑫P，杜国同1，2 (3．集成光电子国家重点联合实验室吉林大学实验区，占林大学电子科学与工程学院，长春130012 2．大连理T大学物理与光电工程学院，辽’j‘大连116024) +Email：dongx@jlu．edu．cn 两种器件的伏安特件曲线都表上见{}j典犁的_极管糁流特性，正向开扁电压约为5V。采_}}j安德森模犁画出了两种器件在止向偏瓜 下的能带图。从能带图…发，通过埘两种结构的对比，阐述了其电致发光机理。对比了两种结构器件在电注入情况下的发光光 醋，发现MgO绝缘层的0I入Ⅱr以显著提高器件的紫外发光效率。 欠键词： 氧化锌。氧化镁，MOS，电致发光。MOCVD 中图分类号：TN383．1文献标识码：A 义章编号： The ofZnOEI ectroI umi nesoentDevi cesBasedonMOS Study Struoture Zha01，XiaochuanShil，Hui WangZha01，Long Xia2，Zhif．eng Wan91，XinDongp， Dul，2 Guotong (L StateKeylaboratoryonIntegratedOptoelectronic, Scienceand CollegeofElectromcEngineering,JdmUmverstty,Changchun130012，China 2．SchoolofPhyswsandOptoelectromcEngmeermg,Dahan edu．cn ’Email：dongx@jlu ofthe and devicesbasedonMOSstructureMOCVD Abstract：Preparationnu／MgO／ZnO／MgO／ITOAu／Mgo／ZnOOTOlight-emitting by Thetwo current withthethreshold totheAnderson devices a rectification of5 presentsrepresentative property voltagev．According modelwedrawthe band oftwostructuraldeviceunderforward fromthe band energydiagram bias．Starting energydiagram．by the of twostructures，describedmechanism the comparing eleetroluminescenee．1mertin8Mgoinsulatinglayer,Callsignificantlyimprove the oftheultravioletemission． efficiency Keywords：ZnO，M【go，MOS，eleetrolumineseenec,MOCVD