AlC^＋和SiC^＋基态的分子结构和光谱属性.pdfVIP

维普资讯 2007年 赣南 师 范 学 院 学 报 № ．6 第六期 JournalofGannanNormalUniversity Dec．2007 · 光子学与光子技术 · A1C+和 SiC+基态的分子结构和光谱属性’ 许永强 (赣南师范学院物理与电子信息学院，江西 赣州 341000) 摘 要：应用QCISD(T)／6—3ll++G(3df，3pd)和B3LYP／6—311++G(3df，aid)方法，对A1C 和 SiC 基态 的分子结构和光谱属性进行 了详细的理论计算．得到 了AIC’和 SiC’基态的能量，平衡结构，谐振频率．同时根据原 子分子反应静力学原理，导出了A1C 和SiC 基态的舍理离解极限和离解能．计算结果表明,／tic 和SiC 基态的光 谱常数与现有的文献结果基本一致．部分光谱常数是第一次给 出理论的报道． 关键词：AIC ；SiC ；分子结构；光谱常数 中图分类号：0561．1 文献标识码 ：A 文章编号：1004—8332(2007)06—0014—04 AIC和SiC分子在材料科学和天文化学方面处于相当重要的地位，它们的阴、阳离子的性质势必也不容 忽视．而与其中性分子相比，AIC 和SiC 离子的外层 电子结构少了1个电子，这必然会引起其物理和化学性 质的改变．但是，对于AIC 和SiC 离子，到 目前为止，还没有实验的研究结果被报道．理论方面，IJargo等应 用密度泛函理论(B3LYP)研究了AIC，AIC “，A1C (n=1—7)团簇的性质，报道了其平衡结构、二极矩， 平衡振动频率等重要参数…．Bruna等应用MRD—CI方法理论计算了SiC 和Si2 分子离子的基态和低激 发态的势能曲线 2【】．但是，对于它们的分子结构和光谱属性，还缺乏详细的理论研究．基于此，我们在这里对 两者进行进～步的深入研究． 1 计算方法 应用密度泛函理论的B3LYP方法和二次组态相互作用(QCISD(T))方法，选择 6—311++G(3df，3pd) 基组，分别对A1C 和SiC 离子进行优化，谐振频率分析和势能面扫描．为了找到正确的基态势能面，确保结 果的可重现性，扫描分别从r0．75R 和r2R 两端进行．扫描过程中使用的各种参数除两原子之间的距 离在不断变化外 ，其它参数均与结构优化时保持严格一致．然后把扫描得到的势能面进行非线性最dx--乘拟 合到Murrell—Sorbie势能曲线．QCISD(T)／6—311++G(3df，3pd)和B3LYP／6—311++G(3df，3pd)水平 的计算是在Gaussian03程序中完成的．非线性最dx--乘拟合采用的是Origin程序．光谱属性的计算应用Ma。 pie数学软件来完成． 2 结果和讨论 2．1 A1C’、SiC’基态的离解极 限 与AIC和SiC分子相比，AIC’和SiC’离子的核外电子排布少了一个电子，电子组态发生改变．计算结果 表明：两者的电子组态分别为 l 2 3 lcr4tr5tr6tr2w 和 ltr2tr3trlcr4tr5tr6tr7tr2w ，AIC 的外 层未填满组态为丌 ，SiC 的外层未填满组态为丌 组态丌 可能形成的谱项为 ’、。一、△，其中 。为基 电子态．组态仃 可能形成的谱项为 ’、 一、△、 一，其中 一为基电子态．对于AIC 和SiC ，分别有两 种可能的离解极限通道 ，即 AIC ： A1C一Al+C，A1C’一 A1C’ (1) SiC ： SiC’一 Si+C，SiC一 SiC (2) 由文献[3]可知，Al、Si、C的第一电离能为578KJ-mol～、787KJ·otol 和 1086KJ·mol。。．与C相比，Al、Si 更易形成 Al’和Si’．故更可能的离解通道为 十 收稿 日期：2007一o9—05 修回日期：2007—09—29 作者简介：许永强(1978一)，男，湖南邵阳人，赣南师范学院物理与电子信息学院教师、硕