凌特上市可提供液晶驱动用电压的LED驱动IC.pdfVIP

维普资讯 美国MIT等开发出 AMD首推三核处理器 100~C时ZT指数达1．4高效热电元件 美国AMD公司于2008年3月27日正式发布了两款三 近 日，美国麻省理工 核处理器，这是全球首批投放市场的三核处理器 。新型 学院 (MIT)、美国波土顿 处理器有望开辟在双核和四核处理器之间的广阔市场， 学院、中国南京大学以及 给消费者带来性价比更高的选择。AMD公司发布的新 美国GMZEnergy公司联合 闻公报说，此次推出的PHENOMX38000系列芯片包括 开发出了100~(2时zT指数达 8400~D8600两个型号，运行主频分别能达到2．1兆赫兹和 1．4的高效热 电元件。 2．3兆赫兹，该系列中文名称为 “羿龙”的新型三核处理 此次，MIT等开发了温度为100~(2时峰值ZT为1．4、 器是基于提高系统 “多线程任务处理能力”而设计的， 室温条件下ZT为1．2、温度为250~(2时ZT为0．8的热电元 能很好地满足用户在多媒体应用方面的需求。据美国媒 件。元件由基于p型BixSb2一xTe3微结晶的块状材料构 体报道，全球两大电脑生产厂家美国惠普公司和戴尔公 司将很快各自推出基于这些三核处理器的台式电脑。 成。ZT与 “塞贝克系数”的平方、导电率及绝对温度成 比例，与导热率成反比。此次的高ZT值是通过大幅降低 取决于高强度声子散射的导热率而实现的。ZT值除以导 日立工具公布 热率之前的功率因数值在室温下约为43 W ／cm／K2，与 高速切削铸铁的CVD涂层刀片 此前的研究成果大体相同。元件材料的制造方法是：用 碾磨机将BiSbTe单结晶磨成粉末，然后利用高压将其压 日本 日立工具近 日开发出TCVD{化学蒸镀法)涂层 固在直径1．25～2．5rnm的石墨盘片上，尤其是在粉末粒子 材料 H“G33”系列的新产品，即高速精密切削普通铸铁 的粒径方面，将其控制在了平均20nmT~右、最大也不超 和可锻铸铁 的刀片 “HG3305” 。与07年 上市 的 过50nm的水平，这样一来，便使材料的导热率降到了磨 “HG3315”相同， H“G3305”通过将添加锆 (Zr)的 成粉末前的BiSbTe单结晶的1／2～1／3左右。另外，在防 CVD镀膜和超硬母材组合，提高了刀片的耐热性和耐磨 止制造过程中的材料氧化、保持导电率等方面也采取了 性。HG33系列的镀膜由三层构成。从母材一侧算起 ， 很好的措施。 第一层是添加Zr的TiCN层，第二层是结合膜，第三层是 添加Zr的厚膜层 。第一层在通过细化柱状结晶提高镀膜 日本航空电子 强度的同时，还通过添加zrj是高了耐氧化性，与此前的 发布采用联结导件结构的连接器 镀膜相比，耐热、耐磨耗性更好。第二层的结合膜具有 固定效果，可防止膜脱落导致工具损伤。第三层通过氧 化铝上添加Zr，使镀膜表面光滑，以此来提高耐熔敷 日本航空电子工业于近 日发布了面向机架及面板封 装的、用于在印刷底板间接合的连接器 “kX24／25”系 性。HG3305通过更换母材来支持高速精密加工。原来 列，主要面向办公 自动化设备、消息电子产品及检测仪 的HG3315使用的是不易因为热而产生龟裂的材料，而