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第33卷 ，第3期 光 谱 学 与 光 谱 分 析 Vo1．33，No．3，pp595—599 2013年 3月 SpectroscopyandSpectralAnalysis March，2013 磁控溅射沉积薄膜预溅射时间的光谱诊断 郭庆林，范 青，崔永亮，董开虎，张 磊，李 旭，张金平，陈金忠 河北大学物理科学与技术学院，河北 保定 071002 摘 要 利用Omni-k300系列光栅光谱仪、CCD数据采集和处理系统以及光纤导光系统等构成的等离子体 光谱分析系统，实现了实时获取射频磁控溅射过程 中等离子体光谱，分别对NiTa，TiAI陶瓷靶，NiA1， TiA1合金靶四种靶材的磁控溅射过程产生的等离子体进行监测，以TaII333．991nrn，NiI362．473nm，A1 I396．153nlTl和TiI398．176nIn为分析线 ，获得了分析谱线强度随时问的变化规律，并以此为依据确定了 预溅射时间，同时研究了不同溅射功率和压强对预溅射时间的影响。 关键词 等离子体发射光谱；光谱分析 ；磁控溅射；预溅射时间 中图分类号：0657 文献标识码：A DOI：10．3964／j．issn．i000—0593(2013)03—0595—05 引 言 1 实验部分 磁控溅射法是当今制备薄膜较常用的一种方法L1]，而 1．1 装置 此种方法制备高质量薄膜的关键之一在于能够在溅射过程中 实验装置如图 1所示，由磁控溅射仪、光纤导光系统、 各方面条件比较稳定的阶段进行膜的生长，从而保证薄膜质 光栅光谱仪、数据采集与处理系统构成的等离子体光谱分析 量达到最优。在以往的探索研究中，人们主要是依靠多次实 系统。 验而得到的经验来确定溅射达到稳定的时间。如王志安等[3] 光栅光谱仪 采用中频反应磁控溅射孪生靶在玻璃基体上沉积 Ti02，在 镀膜前通入氩气进行 5min的预溅射来清洗 Ti靶表面。胡 i 敏[4通过直流反应磁控溅射来沉积TiN薄膜时，靶材进行预 溅射时间5min。Jiang等[5]利用磁控溅射技术制备碳化硼薄 ll计算机ll 膜时对靶材进行了60min的预溅射。Taweesub等 在对铝 铜合金进行等离子体渗氮前先对样品进行预溅射持续 45 min，以清除其表面氧化层。在利用等离子体发射光谱诊断 对磁控溅射制备薄膜工艺参数优化方面已有不少报道L7]， 其中磁控溅射仪射频频率为l3．56MHz(由中国科学院 并均采用预溅射措施。可见诸多研究中都意识到了进行预溅 沈阳科学仪器厂)；光栅光谱仪(1200nlln～，分辨率为0．1 射对薄膜生长的重要性，但采用有效手段来确定预溅射所需 rim)；CCD探测器为 alTles-D7522紫外增强型。 时间的报道少见，一般靠经验给定，这样很难保证所制备薄 1．2 方法 膜的稳定性，同时对资源可能造成不必要的浪费。 实验中为了确保对磁控溅射过程中等离子体光谱实时采 利用等离子体光谱诊断系统，对磁控溅射制备铁电薄膜 集的可行性，磁控溅射制备薄膜实验条件在以往优化条件下 过程中靶材组份进行光谱采集，通过研究靶材组份光谱强度 进行[9]，本底真空2．0×10一Pa，工作气体氩气，流量为 5O 随时间变化，实现了预溅射时间确定，该方法对提高磁控溅 sccm，压强为5Pa，靶基间距为5cm，溅射功率7Ow。分别 射法制备薄膜质量和稳定性有一定的指导作用。 以金