离子注入法制备GaN∶Er薄膜的Raman光谱分析.pdfVIP

第33卷 ，第3期 光 谱 学 与 光 谱 分 析 Vo1．33，No．3，pp699—703 2013年 3月 SpectroscopyandSpectralAnalysis March，2013 离子注入法制备GaN：Er薄膜的Raman光谱分析 陶东言，刘 超 ，尹春海，曾一平 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室，北京 100083 摘 要 对离子注入法制备的u_，n_和p-GaN：Er三种类型的薄膜样品进行 了Raman光谱分析。Er+注入 GaN样品后新出现了293，362和 670cm1等波数的Raman峰，其中293cm 处的Raman峰被指认为无序 激活的Raman散射 (DARS)，362cm 和670cm 处的Raman峰可能与离子注入后形成的GaN晶格缺陷 有关。上述 CaN：Er样品在 8OO~C退火前后的E2(high)特征峰均向高频方向移动，表明薄膜晶格中均存在 着压应力。采用洛伦兹拟合分析了Raman光谱中组成Al(I )模式峰的未耦合 LO模与等离子体激元耦合 模 LPP+在不同样品中的出现情况，定性指出了GaN：Er系列样品中载流子浓度的变化规律。 关键词 氮化镓；离子注人；稀磁半导体；Raman光谱 中图分类号 ：0657．37 文献标识码：A DOI：10．3964~．issr~1000—0593(2013)03—0699—05 禁止的Raman模式或不激活的Raman模式有可能被激活， 引 言 而在 Raman光谱中出现一些与杂质或缺陷有关的局域振动 模式(LVM)。Limmer等[10]将Ar，Mg，P，C和Ga等离子注 氮化镓 (GaN)作为宽带隙的第三代化合物半导体，已成 入 GaN薄膜中，注入剂量在 5×10～6×10 cm 范围内， 为当前最受重视的Ⅲ一V族化合物半导体材料之一，在微电 发现离子注入后会在GaN晶格中引入一些与注入离子种类 子、光电子、光纤通讯等领域 中具有十分广阔的应用前景。 无关的Raman散射峰，如300，360和670ClTI--峰等，然而 在GaN中掺入不同的稀土元素 (GaN：RE)可以发出从可见 迄今对 GaN ：RE材料 Raman光谱分析的文献报道仍很 光到红外光范围不同波长的光，如在GaN中掺人 Er可以发 少[“ 。本研究分析了Er+注入不同载流子类型的CaN薄 绿光[，掺入 Pr和Eu可以发红光[引，掺入 Tm可 以发蓝 膜样品及其退火前后的Raman光谱，旨在研究Er+离子注 光[4]等。除了深入研究GaN ：RE材料的发光特性以外，近 入以及快速退火处理对GaN：Er薄膜样品结构性质的影响。 年来实验发现GaN：RE材料还呈现出丰富多彩的室温铁磁 性能，使其成为一类在 自旋电子学领域中有重要应用前景的 1 实验部分 稀磁半导体 (DMS)候选材料之一，引起了各国学者的广泛关 注和研究兴趣。 采用金属有机物化学气相沉积 (MOCVD)法在 2英寸 C 目前制备GaN：ER 薄膜材料的典型工艺有离子注入法 面蓝宝石衬底上外延生长制备了1．5 厚的非有意掺杂( 和原位生长掺杂法两种。离子注入法的优点是工艺简单、掺 GaN，高阻样品仇～1O～10 crI1-3)，Si掺杂(n-GaN， 一 杂范围和离子浓度都可以精确控制，缺点是注入过程将不可 5．3×10 ClTI-3)，Mg掺杂 (p-GaN，p=7．75×10 cm )三 避免地引入大量晶格缺陷，需要通过高温退火处理使晶格得 种载流子类型的GaN薄膜，然后采用双能态离子注入法制 到部分恢复。Raman光谱分析是一种快速、灵敏而非破坏性