第五章 化学气相沉积.pptVIP

Chemical Vapor Deposition 化学气相沉积 要点： 化学气相淀积的基本原理 CVD特点 CVD装置 低压CVD 等离子体化学气相淀积 PECVD 金属有机物化学气相沉淀（MOCVD） 1. 前沿 化学气相淀积，简称CVD(Chemical Vapor Deposition)是把含有构成薄膜元素的一种或者几种化合物或单质气体供给基片，借助气相作用或在基片上的化学反应生成所需薄膜。 CVD装置的组成 如何进行化学反应? Depends on parameters: Temperature温度 Pressure压力 reactants (purity, concentration…)反应物 Thermodynamics and dynamics (热力学和动力学) 化学气相沉积的特点 可沉积各类薄膜 成膜速度快 镀膜的绕射性好 致密性好、残余应力小、结晶性好 薄膜纯度高 获得平滑的沉积表面 辐射损伤低 3.2 CVD 过程 3.2.1 CVD 薄膜沉积步骤 其主要步骤包含以下几步： 源source: 产生合适的气体 气相传输气体至衬底 沉积薄膜 吸附 反应 废气排除 CVD源 源类型 气体 （易挥发） 液体 （易挥发） 固体 （易升华） 化合物 （易升华） materials should be 稳定 挥发性 反应温度 衬底的熔化/软化温度 气相反应物与生产物易被输运走 无毒 衬底 除了其特性还应考虑： 吸附性 表面反应能力 例: WF6 deposits on Si but not on SiO2 薄膜的生长 条件： 输运气体至衬底表面 吸附气体 化学反应 从衬底表面带走反应气体 4. CVD 装置 CVD 反应室 5. CVD 类型 LPCVD （2）微波CVD The MOCVD growth system 反应器 反应器 Aixtron 模型-2400 反应器 原子层沉积 (ALD) 作 业 Chapter 5: 化学气相沉积原理，特点及分类。 化学气相反应类型有哪些？ CVD沉积中，为何有表面限制和传质限制两种机制？ 低压化学气相沉积有何特点，为什么？ PECVD的原理，优点，等离子体产生方法有哪些？ MOCVD的原理，特点。 ALD与常规CVD相比，有什么特点？ ALD单原子层反应 CVD与PVD相比较，具有以下优点： 1、沉积装置相对简单 2、可在低于熔点或分解温度下制备各种高熔点的金属薄膜和碳化物、氮化物、硅化物薄膜及氧化物薄膜，可实现高温材料的低温生长 3、适合在形状复杂表面及孔内镀膜 4、成膜所需源物质，一般较易获得 缺点： 1、沉积速率不太高：几－几百nm/min 2、反应源，余气多数易燃，有毒，易爆 3、在局部表面沉积困难 4、衬底温度较高，衬底材料种类受限（受反应工作温度限制） 气压 1 mtorr - 1 torr (rather than 1 atm) 低总压、高分压 = higher D of gas to substrate 通常是表面速率限制机制surface reaction limiting Advantages 中等反应速率 均匀性好 uniformity 台阶覆盖度好 coverage over steps 缺陷浓度低, 污染少 高产率 5.1 Low Pressure CVD (低压CVD) 1、低压化学气相沉积（LPCVD） 0.1MPa以下工作，比常压CVD低100Pa左右，所以气体扩散系数可提高三个数量级。低气压平均自由程增大，沉积膜的台阶覆盖性好，膜针孔小，结构完整。可沉积掺杂（不掺杂）SiO2、SixNy，α－Si其它硅化物，W、Ta、Mo等互连材料。 缺点：沉积速率较低 5.2 Plasma Enhanced CVD (等离子体辅助CVD) 低压CVD中利用辉光放电等离子体的影响生长薄膜。 压强：5～500Pa 2、等离子体（增强）化学气相沉积 在低压CVD中利用辉光放电等离子体的影响生长薄膜 在PECVD中： 压强：5～500Pa 电子、离子密度高达109～1012个/cm3 平均电子能达1～10ev 主要用于介质膜沉积（example:低厚度、高ξ、低漏电、高绝缘的介质薄膜） PECVD 沉积薄膜 （1）3SiH4+4NH3 Si3N4+12H2 （2）SiH4+2N2O