顶层钪钨阴极制造工艺与发射性能的研究.pdfVIP

顶层钪钨阴极制造工艺和发射性能的研究 千萍 奎零 北京真空电子技术研究所北京 100016 摘要：本文介绍了一种新型的顶层钪钨阴极的制造工艺，并对其发射性能进行了测试：该阴极在1000 ℃n可以提供至少150A／cm2的拐点电流密度。 关键词：顶层钪钨阴极，氧化态，大电流密度 1引言 2004年，北京真空电子技术研究所阴极研究室采用亚微米尺度氧化钪掺杂钨粉制作阴极基体，进 行阴极制备…。用该方法研制的亚微米新型含钪扩散阴极具有极佳的低温高发射能力，850℃s时，可以 稳定获得30A／cm2的电流密度，最大电流密度可达50A／cm2。此外，美国SI。AC采用CPI电子枪对其 进行了测试，获得了100A／cm2的实用电流密度。该阴极已经引起世界阴极工作者的高度关注，但是这 种阴极由于其基底的亚微米结构导致它的后续工艺控制比较困难，尤其是烧结孔度和发射表面的精密车 加工。 为满足工程应用，我们尝试应用现有的成熟扩散阴极工艺条件来制备可以实用化的大电流密度阴 极。采用直流溅射方式在传统的钡钨扩散阴极上沉积一层钪钨膜，希望借助这种成本相对低廉的成熟工 艺，制备出性能同样优异的阴极。 2顶层钪钨阴极的制备 2．1概述 顶层钪钨阴极的制备环节可以用如下的过程概括(如图1)： 图l顶层钪钨阴极制备工艺流程图 图2沉积薄膜后的钼片表面Sc的2p光电．了峰 其中用离子溅射给阴极覆膜是制各这种顶层钪钨阴极的关键步骤。对钪系阴极的研究表明，阴极表 面的Sc若以元素状态存在，对发射是没有贡献的【21，只有当Sc为氧化态时，才能够在随后的激活过程 中使阴极的逸出功降低。所以薄膜型钪系阴极的工艺关键必须满足以下两点：(1)薄膜的覆盖不能改变 原浸渍阴极表面的导电特性：(2)薄膜中的Sc必须是氧化态存在旧1。 2．2阴极覆膜 目前含钪薄膜的成膜工艺大多采用射频溅射和激光蒸发法。有资料显示前者会导致靶材中氧化钪的 分解，因此必须对系统充氧气并严格的控制气体分压，这使得对溅射成膜的条件的控制变得相当困难。 而激光蒸发法虽然具有无需对系统引入活性气体即可使Sc在膜内保持完全氧化态，也具有不错的发射 特性，但其制作工艺复杂，可控性差，距实用还有较大的距离。 在本实验中，采用了直流溅射沉积的方法。刻蚀和覆膜过程也并未向系统充入氧气，为了确定膜中 钪的价态，我们用销片作基片，沉移{薄膜并做了XPS分析，所得结果如图2。对钪元素Sc2p峰的窄谱 研究表明：钼片表面的钪元素呈现为氧化态，位于402eV附近。 3 电子发射特性实验结果、分析及讨论 为避免直流测试可能产生的阳极效应和电子冷却效应，更好的评估阴极的发射性能，对处理好的阴 u 极进行了脉冲条件下的测试。测试条件：脉冲宽度10S、重复频率200Hz。 3．1双对数伏安特性曲线(LogI--LogV曲线) 53l 项层钪钨阴极在不同温度下双对教伏安瞳线如图3。结果表明，∞O℃。时，阴极稳定后其发射的拐 ℃-对应的曲线-由于测试电源只能达到2700伏，因此并来得到拐点电流密度，测得的最高的电流密度 约为8508A／cm2，我们按照保守预估：实际至少可以提供150 A／cm2的拐点电流密度。 比较圈3和图4、图0可以看出，顶层钪钨阴极具有很高的电流发射密度，明显高于M型阴极和钪 酸盐阴极。 囤3薄膜钪钨阴橙艘射曲线 圈4授溃钪醴盐明极典型曲线圈 圈5疆锼腆“u”阴极典型曲线圈 3 2欠熟特性和有效功函分布(P1『FD) 圈6薄膜钪钨阴极的Mlr锄曲线和P丌D分布 对于顶层钪钨阴极(如嘲6所示)，在支取2，4，8A／cm2和16A／cm。电流密度的情况下，虽然其 功函数的分布形状也呈正态分布，但却随支取发射Ia藏密度的增大．其分布形状不断展宽；不同于M 型阴极：H型州楹且|J使电流密度支取到32A／c一，仍然具各理想的正态分布，所有支取状态下的p)F0 的峰