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采用源极增强带带隧穿热电子注入编程的新型p沟选择分裂位线NOR快闪存贮器.pdf
维普资讯
第 23卷第 1O期 半 导 体 学 报 Vo1．23．No．10
2002年 1O月 CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS 0ct．． 2002
Novelp-ChannelSelectedn．．ChannelDividedBit．．LineNOR
Flash M emoryUsingSource Induced Band．．to．．Band
HotElectronInjectionProgramming
PanLiyang，ZhuJun，LiuKai，LiuZhih0ngandZengYing
(InstituteofMicroelectronics，TsinghuaUniversity，Beijing 100084，China)
Abstract：A novelp-channelselected n—channeldivided bit—lineN0R (PNOR)flash memorv，which featureslow
programming current，low power，high accesscurrent，and slightbit—line disturbance，isproposed．By using the
sourceinducedband—to—bandhotelectroninjection (SIBE)toperform programminganddividingthebit—linetothe
sub—bit—lines，theprogrammingcurrentandpowercanbereducedto3．5 A and16．5 W withthesub—bit—linewidth
equalingto 128，andareadcurrentof6O”A isobtained．Furthermore，thebit—linedisturbanceisalsosignificantlyal—
leviated．
Keywords：flashmemory；DINOR ；band—to—band；SIBE ；disturbance
EEACC ： 2560A ； 1265D
CLC number：TP333．5 Documentcode：A ArticleID ：0253—4177(2002)10—1O31一O6
has slow programming speed[．Ohnakado eta1．
1 Introduction proposed ap-channelDINOR flash memoryusing
the band——to——band tunneling induced hot electron
W ith the scaling down ofthe differentflash (BBHE)[引 to perform programming operation，
cells，the flash array architecture is found new which has the advantages ofhigh efficiency and
structuresto increasethe integratedensity and
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