量子线中的极化光学声子与热电子输运.pdfVIP

维普资讯 第 4卷 第 4期 自然科学进展——国家重点实验室通讯 1994年 7月 一 ． 。≤ 量子线中的极化光学声子与热电子输运 王雪峰 雷啸霖 (中国科学院上海冶盅研究所信息功能材料 国家重点实验室 关键词 量子线、声子摸、电．声子相互作用、热电子输运 ‘ 一 — _ — 一 _ — — — — 采用当今的半导体亚微结构工艺，人们不仅能够制造一个维度方 向约束的量子阱二维 电 子系统，而且能够制造出各种截面形状、尺寸极小的具有二个维度约束的量子线一维 电子系 统_J’．当系统的横向约束小于电子的平均 自由程时，电子能带将在约束方向分裂并形成分 立的子带_j；如果系统的横向约束可与主要的光学声子波长相比拟 ，体光学声子模被同时约 束并分成限制声子模和表面声子模l4一”J．这种声子限制效应将影响电．声子相互作用的强度 或散射几率，并预计当约束尺寸小于 10nm时会对电子的高温或高场输运性质产生修正 -． 近几年来，人们对半导体微结构中声子模从微观上和宏观上进行了大量的研究工作，提 出了不同的微观声子模型和宏观声子模型 ’1．宏观模型中声子模能用简单的解析表达式 表示出来，这为电．声子相互作用的研究提供了极大的方便，因而更加受到重视 ．但 由于宏 观解析模型是近似模型，因而具有不同形式．现在文献中主要有三种宏观解析模型_oJ．第一 种模型即以黄昆方程及电学连续边界条件作为出发点的电学(DielectricContinuum)模型l】 ： 第二种为力学 (Hydrodyrmmiccontinuum)模型，它以广义黄昆方程及力学边界条件作为 出 发点l】；第三种模型由黄昆、朱邦芬提出，并被称为黄 ．朱模型…J．哪种模型给出的声子 f 模更接近于真实的声子模是一个长期争论而没有解决的问题II 最近，声子限制效应对半导体微结构能量弛豫及输运性质影响的研究正受到国际上广泛 重视 【 J，但一目前量子线 中电子输运 (特别是高场输运)的研究主要还局限在讨论电子约束 的影响方面 】．我们根据 电学模型、力学模型及黄 ．朱模型的基本物理思想获得 了圆柱形 GaAs／AIAs量子线中电子．光学声子Fri5hli曲相互作用的哈密顿量．在假设其它电．声子相 r 互作用可 以用体声子模近似的情况下，我们利用雷 ．丁平衡方程输运理论 J【仔细地研究 了 该体系中电子的低场、高场及低温、高温输运性质． 假设电子处于长为L、直径为d的圆柱形GaAs无限深势阱中．电子的状态可用轴 向动 量 k、角量子数 1及横向量子数 7来表征 ．电子波函数为 eikZ = x tr ) ， ， {置 o．，…’ (】) 式中 为f阶贝塞尔函数的第J个零．，即：JJ()=o 99m 收稿 ，1993q)gq~收修改藕 维普资讯 自然科学进展——国家重点实验室通讯 第4卷 限制声子模则用轴向动量 目、角量子数rn及横向量子数n来描述 ．它的电势函数在电学 模型中为 r(,tp,Z，～ {2-，I…,?’l 在力学模型中为 卜 古 { ，7’ 其中』rm 为m 阶贝塞尔函数导数的第 n个零点，即：0 )=O ． 在黄 ．朱模型中为 ～