ECRPlasmaCVD法淀积介质膜技术在半导体光电器件中的应用.pdfVIP

　第 20 卷第 9 期 半　导　体　学　报 . 20, . 9 V o l N o 　1999 年 9 月 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S Sep. , 1999 ECR Pla sma CVD 法淀积介质膜技术 在半导体光电器件中的应用 茅冬生　谭满清 ( 中国科学院半导体研究所 光电子器件国家工程研究中心　北京　100083) 摘要　电子回旋共振等离子体化学气相淀积(ECR P lasm a CVD ) 法淀积介质膜技术是制备性能 优良的光电子器件光学膜和电介质膜的重要手段之一. 本文报道了ECR P lasm a CVD 法淀积介 质膜的工艺以及介质膜的特性等. : 7125, 7640, 6855, 8115 , 8160, 7755, 8115 EEACC H J 1　引言 [ 1～ 5 ] 介质薄膜在半导体光电器件制备中起着非常重要的作用 . 常用的介质膜有 SiO 2、 x y 、 3 4、: 、 2 3 等. 近两年来, 我们在引进的 设备上开展了淀 SiO N SiN a Si A l O ECR P lasm a CVD 积介质膜技术的研究, 并取得一些有实用价值的成果, 已经在高技术光电器件的研究开发中 起着重要的作用. 以下报道我们在ECR P lasm a CVD 法淀积介质膜技术方面的一些研究工 作. 2　实验 我们在 、 、 等衬底上成功地淀积了 2、 x y 、 3 4、: 、 x 、 x 等介 InP Si GaA s SiO SiO N SiN a Si SiO SiN 质膜. 例如, 淀积折射率为 1483 的 2 膜, 使用 4、 2、 2 等气体, 微波功率为 300 , SiO SiH O N W 4 和 2 气体流量配比为 ( 4 ) ∶ ( 2 ) = 1 ∶2; 淀积折射率为 1810 的 x y 膜, 使 SiH O Q SiH Q O SiO N 用 4、 2、 2 等气体, 微波功率为 300 , ( 4 ) ∶ ( 2 ) = 9 ∶4; 淀积折射率为 1966 SiH O N W Q SiH Q N 的 3 4 膜, 使用 4、 2 , 微波功率为 300 , ( 4 ) ∶ ( 2 ) = 3 ∶4; 淀积折射率为 SiN SiH N W Q SiH Q N 2 867 的 膜, 使用 、 、 , 微波功率为 300 , ( ) ∶ ( ) = 3 ∶1; 淀积 : SiO x SiH 4 O 2 A r W Q SiH 4 Q O 2 a Si 膜, 使用 和 气, ( ) ∶ ( ) = 1