一种适合多种控制信号地多倍频程90°数字%2f模拟兼容+GaAs+MMIC移相器.pdfVIP

2000，全国第八届·微波集成I乜路与移动通信，学术年会 213 一种适合多种控制信号的多倍频程90。数字／模拟兼容 GaAs MMl0移相器 戴永胜 陈堂胜 李辉 刘琳 高树平 陈效建 【摘要】：本文介绍了一种适合不同控制信号的多倍频程数字／模拟兼容GaAs删Ic移相器 0．6Ⅻnx0．1mm)。 一、 引言 数字和模拟移相器在移动通信和许多现代先进电子系统和设备中被广泛应用，而Gabs MMIC的数字／模拟移相器由于其体积小、重量轻、无功耗、开关时间短而倍受欢迎。由于G“s 制信号一般是TTL或CMOS电平，使用中需要增加控制电平转换驱动电路实现控制，这会增 加系统的体积、重量、开关延时时间和功耗，同时也增加了系统复杂性。本文介绍的这种 移相器能兼容正极性、负极性和正、负极性同时控制的信号，同时具有数字移相器和模拟 移相器的功能，并获得了优异的电性能。 二、 移相器电路设计 为了在多倍频程带宽内和不同极性的控制信号下保持固定相移，首先应选择一个合 适的宽带移相器电路拓扑。基本的拓扑是一个反射型移相器电路(如图1所示)。它由一个 电性能参数和尽可能小的芯片尺寸要求，应选择合适的开关MESFET结构、工艺条件和电路 信号控制，当为模拟移相的控制态时，是用～个从VR-lVPI到vR连续变化的电压来控制， 提供足够的射频隔离。 在移相器的设计中，利用HP Eesof 的模型参数，移相器的设计及仿真使用了HP IV软件，移相器优化的反射损耗值最 小为一20dB。设计中对所有的电性能参数进行综合优化时，应考虑版图引入寄生参数的影响。 三、 制造 214 2000，争田第八届·微波集成l乜路‘j移动通信，学术年会 移相器芯片制造采用南京电子器件研究所标准离子注入GasMMIc工艺生产线进行加 工，为了保证高成品率，在圆片上采用了工艺监控(ProcessControl Monitor)技术。工 阻、si02钝化保护、MIM电容。空气桥、微带线及压块的镀金层加厚到5um，芯片接地采 li 用背面通孔，芯片正面采用钝化保护，整个圆片的背面镀金层加厚到10m，采用通孔接 地使移相器的键合的金丝数最少。输入／输出均为共面波导接口便于使用，芯片尺寸为4．2mm X0．6mmX0．1mm。图2给出了移相器芯片的照片。 四、 性能 移相器电性能通过计算机控制的矢量网络分析仪及Cascade微波探针测试系统进行 测试。移相器各种性能参数如：相移、插损、输入／输出驻波、随控制信号变化的相位变化 的测试结果如图3所示。 五、 结语 成功的研制了一种新颖的适合多种极性控制信号的多倍频程90。数字／模拟兼容的 GaAs 寸。移相器芯片采用了MMIC全离子注入工艺和PCM技术制造，保证了芯片的高成品率和圆 片之间及芯片之间好的一致性。 六、 感谢 作者衷心感谢OaAs煳Ic工艺线所有工作人员的大力支持。 参考文献： 【iJ LUCYSZYN wideband time S．，andROBERTSON，I．D．：“High performanceanalogue shifter’Electron．1ett．，v01．29，no．10，May