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Be与CuCrZr中温热等静压扩散连接研究 谭佳梅1，张鹏程2，谌继明3，周上祺1 (I、 重庆大学材料科学与麓程学院，熏庆。400044 2、裘灏物理与化学莓家重癔实验室，四川缩阳，621907 3、核工堑西南物理研究院，西娜成都，610041 作为过渡层。结果表嚼：Ti较好埯隧搐了Be、Cu之闯酶置扩散，其旃Cu中的扩散疆：岛Be串扩散大，发生了不对 称扩散；栩比于焊接时间为2样品，焊接时间1．5h样品金属阔化合物朕较薄，剪切强度也比较低；两个样I编均靠近 断I：1饬稽，均以Cu鸯烹黉裰，其中1号样品断掰表面含商一定量的Ti、Cu金属f奄化合物，以凝少量的硪，蔼2号 样品则金属间化合物生成很少；Cu镀层存在织构，具有各向异性，2号样品尤其嘲娩，严重影响接头的结合强度。 关键诿：Be CuCrZr 界嚣特蔹 薯l言 发展核聚变能是解决能源问题的一种行之有效的方法，为了研究利用聚变能在理论上和技术上 的哥褥性，成立了嚣际热接聚变实验反应堆(ITER)。ITER羼蔽包层第一蝥采瑗转e偿委网等离予 体材料，需与Cu合龛／不锈钢散热片连接。20世纪90年代以来，国外采用了热等静压(HIP)扩散 连接的方法来连接Be／Cu合金¨川。而至予Cu合金的选择，以前集中研究DSCu，现在更倾向于采 在保证扩散充分的情况下，考虑采用接近时效温度的温度来HIP连接Be／CuCrZr具有更大的实用价 值。本文从成分、组织、维构及性能等耢究时麓对采焉Ti／Cu串河过渡层的Be鼯诞晓}接头质量麴 影响，为进一步优化工艺参数提供参考。 1．实验 1．1豺精 038xI Imm3，c疆合金群最跫寸舞◇38×23mm3。在热等静压连接翦，c毽合金黎羲表螽均逶过耩磨撼 光和离子柬轰击清洗，并采用磁控溅射离子镀Ti或Cu，见表l。 1．2实验 将8e秘e驻合金试祥超工耪表面处理着，爰囊空电子束焊封装于苞套孛，经挥缝探臻合格着进 行热等静压压制。HIP条件如表l所示。 表1 HiP扩散连接工艺参数及接买的平均葵甥强度 1．3成分、组织、结构及性能分析 160 采用SEM观察接头扩散区的组织形貌和界面结合情况；用EDS分析成分；在室温下进行剪切实 验考核结合强度后，用SEM、EDS分析断口特征及成分分布，通过XRD分析接头断口的物相组成。 2．结果分析及讨论 2．1显微组织观察和成分分析 图。由于能谱灵敏度的限制，Be的成分分布未测定。从图可知，界面结合比较致密，原始的Ti、Cu 界面不复存在，高倍下观察有微裂纹和孔洞等存在。l号样品扩散区厚度约为10tam，分为明显的三 层，而2号样品扩散层厚度也为101un左右，但只观察到明显的二层，与l号样品对应的第三层不明 显，在界面处间或存在，且2号样品的Be端扩散层即I层厚度明显大于l号样品的l层。从样品的 成分线分布结果可知：Ti几乎没有扩散进入Be材中，而在CuCrZr中的扩散距离则较大，形成明显 的不对称扩散。Ti层较薄，并没有完全阻挡住Be、Cu之间的互扩散，有微量的Cu扩散穿过Be、 Ti界面进入了Be材中。Cu、1ri之间的互扩散使其成分线分布产生了几个平台，与SEM图像结合， 这几个成分分布平台分另U与各扩散层及Cu合金基体对应。说明在各扩散层Cu、Ti的浓度是恒定的， 结合成分的定量分析，靠近Be端的界面扩散层I主要为旺一1ri固溶体，而靠近Cu端的扩散层则生 显的扩散层厚度为：l号样品69m左右，而2号样品则不足49m。由此可知，元素互扩散的扩散层 厚度与保温时间密切相关。根据参考文献【4】，扩散层厚度与时间的平方根成线性关系。随着保温时 间的加长，扩散层厚度增大。因此，在保证元素扩散充分的情况下，适当减少保温时间，有利于减 少脆性金属间化合物的生成量。 图1 1号样品的SEM图像和EDS 图2 2号样品的SEM图像和 成分线分布图 EDS成分线分布图． 2．2剪切强度 样品的剪切强度如表l所示。1号样品和2号样品的强度相差较大，保温时间对样品剪切强度 有一定的影响。从扩散过程来说，随着