堆栈NMOS器件性能研究.pdfVIP

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2017-08-20 发布于安徽
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堆栈NMOS器件性能研究.pdf

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四川省电子学会半导体与集成技术专委会2012年度学术年会论文集 2012年12月堆栈NMOS器件性能的研究盛玉荣，樊航，蒋苓利，乔明 (电子科技大学四川成都610054) 【摘要】堆叠NMOS(Stacked—NMOS，STNMOS)在静电放电保护(Electro．Static 的应用，其可在不增加栅氧厚度的前提下，有效的提高了器件的栅氧可靠性和降低了漏电流的影响。但是相对于普通MOS管，并分析了产生的原因。触发电压；关键词堆叠NMOS；静电保护；Sentaurus仿真；维持电压；中图分类号TN386．1 文献标识码A the ofStacked--NMOS Capability Investigating SHENG Hang，JIANGLing-li，andQIAOMing Yu-rong，FAN ofMicroelectronicsandSolidState (School Electronics，University Scienceand ofElectronic TechnologyofChina，Sichuan，Chengdu,610054) Abstract：Stacked-NMOShasbeen usedinthe ofelectro—static widely protectiondesign becauseitCansolvethe issuewithouttheadditionalthick oxide and gate—oxidereliability using gate process current to ESD ofSTNMOSismuch decreasetheeffectof MOS。the leakage．Butcomparegeneral capability mustbedoneto its this discussthe mechanismof poorer，SOsomething improveability．Inpaper，we trigger and correctnessofabove tothecurrent electricfield Sn心们S，and density diagram，the trigger according mechanismCanbe theinfluenceondevice theN+areabetweenthetwo proved．Then capabilityby gates，and reasonsare analysed． Sentaurus Keywords：Stacked-NMOS；ESD； simulation；Vhold；triggervoltage；