注氮ZnOMg薄膜的热稳定性研究.pdfVIP

2008 年 12 月 湛江师范学院学报 Dec. ,2008 　　第 29 卷 第 6 期 JO URNAL OF ZH ANJ IAN G N ORMA L CO LLEGE V l. 29 　N . 6 注 氮 ZnO :Mg 薄 膜 的 热 稳 定 性 研 究 薛书文 ,梅 　芳 , 肖世发 ,莫 　东 ,黄子康 ( 湛江师范学院 物理科学与技 术学院, 广东 湛江 524048) 　　摘　要 :利用溶胶凝胶方法在石英玻璃衬底 上制备了 Zn O : Mg 薄膜 ,将能量 56 k eV 、剂量 1 ×1017 i n s/ cm2 的 N 离 子注入到薄膜 中.离子注入后 , 将样 品在 500- 900 ℃的氮气 中退火 ,利 用 X 射线衍射( XRD) 和光 吸收研究了薄 膜中缺陷的恢复过程 . 结果显示 , 离子注入层在 600- 900 ℃的退火过程 中分解和蒸发 现象明显 , 这个 结果对利用 离 子注入技术制备 p 型 Zn O 有很重要的意义. 关键词 :Zn O 薄膜 ;离子注入 ; XRD ; 吸收 中图分类号 : TN304 .2 1　　　　文献标识码 : A 　　　　文章编号 : 1006 - 4702( 2 00 8) 06 - 0024 - 0 5 0 　引　言 由于在蓝光和紫外短波长器件方面存着 巨大 的应用前景 ,ZnO 近十几年引起了广泛 的研究兴趣[ 1 - 3] .人 们已经能利用射频磁控溅射 、化学气相沉积 、脉冲激光沉积 、等离子辅助分子束外延和溶胶凝胶等多种技术 合成高质量 的 Zn O 薄膜[ 4 - 8] . 离子注入技术是一种广泛采用 的半导体掺杂技术 ,尤其是在半导体工业 中 .它 的优点是可以进行选 区掺杂 , 不受掺杂物固溶度的影响 ,并能精确控制掺杂物的浓度 .理论上 ,每一种元素都 可以利用离子注入技术进行掺杂 , 因此 ,它是一种十分灵活和便利 的掺杂技术 . 近年来 的理论和实验研究发 现 ,N 是 p-ZnO 掺杂 中最好的受主元素 ,但它在 ZnO 中的固溶度 比较低 ,利用离子注入技术和施主 - 受主共 掺的方法有望大大提高受主在 ZnO 中的固溶度 ,从而有利于 p- ZnO 的实现 . 目前 , 已有几个研究组利用 N 离子注入获得了性能 比较好的 p- ZnO[ 9 - 10] .Li 等的第一原理计算结果表 明, 在适当的生长条件下 ,通过添加 适量 的 Mg 、F 等可以有效提高 p- Zn O 的性能 ,但还未从实验上得到证实[ 11] .虽然利用离子注入技术可以制 备出性能较好的 p-ZnO ,但离子注入过程 中引入的晶格缺陷对 ZnO 光电性质 的影响不容忽视 .因此 , 研究和 了解缺陷的恢复 以及 ZnO 离 子注入层 的热 稳定性很有必要 . C leman 等研究发 现 , Zn O 的 A s 注入层在 1 000 - 1 200 ℃退火 中存在明显的分解和蒸发行为 , 并且在 1 200 ℃退火后注入层几乎全部消失 . 然而 , 为 消除离子注入引入的缺陷对 Zn O 光 电性质的影响 ,退火温度一般选择在 1 000 ℃以下[ 13] .在 1 000 ℃以下的 退火 中离子注入层是否存在明显的分解和蒸发行为 ? 如果存在 ,这种行为在什么温度才开始 明显发生 ? 本文中 ,我们报道了N 离子注入 ZnO :Mg 薄膜后的退火行为 ,结果显示 ,注入层的分解和蒸发在600 ℃ 的退火中已经明显存在 , 这个结果对利用离子注入技术制备 p- ZnO 非常重要 . 2 　实　验 利用溶胶凝胶方法先制备 ZnO :Mg 薄膜 ,采用分析纯的二水合醋酸锌[ Zn( CH 3COO) 2 ·2H2 O] 作为前 驱体 , 乙二醇甲醚[ 2- me th xy eth an ] 和无水 乙醇作为溶剂 , 乙醇氨( MEA) 作为稳定剂 . 实验 中将一定量 的 收稿 日期 :2 008 - 10 - 03 基金项 目: 湛江师范学院科研基金资助项 目(