浅谈ITO薄膜的制造工艺.pdfVIP

I 学 篁 …………………………一 浅 谈 ITo薄 膜 的 制 造 工 艺 南京中电熊猫液晶材料科技有限公司 黎凤燕 尹翠芳 【摘要】ITO薄膜的制作是彩色虎光片生产中非常重要的一道工序，本文着重介绍了薄膜的制作工艺有磁控溅射、化学气相沉积、真空反应蒸发、溶胶一凝胶法、微波 EcR等离子体反应蒸发沉积、脉冲激光沉积、喷射热分解等几种方法。其中磁控溅射工艺具有沉积速率高均匀性好等优点而成为一种广泛应用的成膜方法。对磁控溅射的 原理、磁控溅射具有的特点进行了较为详细的叙述。 【关键词】ITO薄膜；透明导电氧化物薄膜；磁控溅射 引言 I．3真空反应蒸发 长 ，而且被束缚在靠近靶表面 的等离子体 区 在平面面板显示器 的发展过程 中，铟锡氧 真空反应蒸发法是在真空室中，使蒸发容器 域 内，在该区中电离 出大量 的At+离子用来轰 化物透 明导电薄膜是 显示器面板制程 中非常重 中待形成薄膜 的原材料从表面气化逸 出，形成蒸 击靶材 ，从而实现 了磁控溅射淀积速率高 的 要的技术项 目，其薄膜 的物理特性将 深深地影 气流 ，入射到衬底表面 与气体反应生成薄膜的方 特 点 。随着碰撞次数 的增加 ，电子e1的能量 响到最终产 品显示器的画质及其 价位 。 法。采用电子束蒸发沉积法可 以制备 出优质tTO 消耗殆尽 ，逐 步远离靶面 。并在 电场E的作用 铟锡氧化物透 明导 电薄膜 的主要功能是 薄膜，其 中蒸发物质为掺有Sn02的In203，Sn02 下最 终沉 积在 基 片上 。 由于 该 电子 的能量 很 在于其 极佳 的 电极材 料而 应 用于平面 面 板 显 的质量 百分含量 10％在 合适 的工艺条件 下沉积 低 ，传 给 基 片 的能量 很 小 ，致 使 基片温 升较 示器 ，具有发热 、热反射 、 电磁波 防止和静 的薄膜最小 电阻率为4X10-4Q．cm，可见光范 低 。另外 ，对于e2类 电子来说 ，由于磁极轴 电防止等不 同的用途 。 围内平均透过率高于90％。 线处的电场与磁场平行，电子e2将直接飞向 多种工艺可 以用来制备透 明导 电薄膜 ， 1．4脉冲激光沉 积 基片，但是在磁极轴线处离子密度很低 ，所 如磁 控 溅 射真 空反应 蒸 发 、化 学气 相沉 积 、 脉冲激光沉积 ({PLD)工艺是近年发展起 以e2电子很少，对基片温升作用极微 。 溶胶一凝胶法 以及脉冲激光沉积等 。其 中磁 来 的真空物 理沉积 工 艺 ，是 一种 很有 竞 争 力 综 上所 述 ，磁 控 溅 射 的基 本 原理 ，就 控溅射工艺具有沉积速率高均匀性好等优 点 的新工艺 。与其它工艺相 比，具有可精确控 是 以磁场来改变 电子 的运动方 向，并束缚和 而成 为一种广 泛应用 的成膜方法 。 制化学计量 、合成与沉积 同时完成 、对靶 的 延 长 电子 的运 动轨迹 ，从而提 高 了 电子对 工 1．ITO膜 的制作方式及优缺点分析 形状与表面质量无要求 的优 点，所 以可对 固 作气体 的电离几率和有效地利用 了电子 的能 薄膜 的性质是 由制作 工艺决定 的，改进制 体材料进行表面加工而不影响材料本体 ． 量 。因此 ，使正离子对靶材轰击所 引起 的靶 备工艺 的努力方 向是使制成 的薄膜 电阻率低 、 2．磁控溅射原理 材溅射更加有效 。同时，受正交 电磁场束缚 透射率高且表面形貌好 ，薄膜生长温度接近室 溅射技术的最新成就之一是磁控溅射，由 的电子 ，又 只能在其能量要耗尽 时才沉积在 温，与基板 附着性好 ，能大面积均匀制膜且制 于在磁控溅射 中引入 了正交电磁场 ，使离化率