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第 34卷 第 9期 真 空 科 学 与 技 术 学 报 2014年 9月 CH mSEJOURNALOFVACUUM SCIENCEAND TECHNOLOGY 9l5 氢化处理对 Li—W共掺杂 ZnO薄膜性能的影响 陈义川 胡跃辉 张效华 马德福 刘细妹 徐 斌 张志明 (景德镇陶瓷学院机械电子工程学院 景德镇 333000) EffectofHydrogenationonLi-W Co-DopedZnO Films ChenYiehuan，HuYuehui ，ZhangXiaohua，MaDefu，LiuXimei，XU Bin，ZhangZhiming (DepartmentofMechanicalandElectronicEngineering，JingdezhenCeramicInstitute，Jingd~hen333000，Chn／a) Abstract ThesurfacesofLi—Wco-dopedZnO(LWZO：H)fimls，synthesizedbyRFmagnetronsputtering，weI1erede— i6edbyhydrogenation．Theimpactsofthesnythesisconditions，particularlythehydrogenationandthecontentofLi—W ，on micmstructuresnadopticalpropertiesoftheLWZO：H filmswereevaluatde ．TheLWZO：H filmswerecharacterizde with X—mydiffraction，scanningelectronmicroscope，X—rayphotoelectronspectroscopy(XPS)，nadphotoluminescencespec— troscopy．Themsuhsshowthathydrogenationmarkedlyimprovesthecrystallinity，surfacesmoothness，nadcompactnessof hteLWZO：H filmswithatransmittanceof about85％ ．Inaddition，H ioninthefilm effectivelyincreaseshteactivityof thedopedLi-W ，passivatessomedefects，widensthebnad—gap，nadincreasescarrierconcentration．Theintrinsiclumines— cencewasfoundtobestrongerhtanhtatofhtecontrolsamplepossiblybecauseofdefect-inducde luminescencereduction． Keywords Ⅱ一W CO—dopingZnO，Dop~tefficiency，XPS，Photoluminescence 摘要 不同H2气氛中通过 RF’磁控溅射在石英衬底上制备 Ⅱ一w共掺杂ZnO(LWZO)薄膜。对样品进行 x射线衍射、扫 描电镜(SEM)、x射线光电子(xPs)、透过率以及室温光致发光(PIJ)谱分析。结果表明：适当氢化处理形成LWZO：H薄膜，有助 于提高薄膜的结晶质量；SEM结果显示 LWZO：H薄膜表面晶粒生长更均匀，表面更平整；薄膜的透光率保持在 85％左右。从 XPS分析可知，在 H2气氛中，H可以有效地提高沉积粒子的活性 ，使w 的掺杂效率提高。同时H 进入LWZO薄膜内部可以 钝化薄膜的内部缺陷，提高载流子浓度，增加薄膜的禁带宽度。室温 PL谱结果表明：LWZO的PTJ由本征发光及缺陷发光组 成 ，经过氢化处理的薄膜的缺陷发光减少，本征发光强度增强。 关键词 “一w共掺杂ZnO 掺杂效率 x射线光电子谱 光致发光 中图分类号：0484．1 文献标识码：A 10．1agZ2／j．cnki．cjovst．2014．09．07 氧化锌 (ZnO)是一种直接宽禁带氧化物半导 (V0)、锌填隙原子 (Z