空心阴极气流溅射法快速沉积具有高活性光催化作用的TiO2薄膜（下）.pdfVIP

为了进一步研究GFS沉积的TiO，膜的高光 催化作用，我们分析了其表面形貌和微结构。图 6为 O2流量为 l0、50sccm下，用 GFS方法在 硅片上沉积的TiO 膜 的原了力显微镜 (AFM)图。 a．Mtlf~ p,(O110sccm) b．后退火 (O210sccn1) 在表面形貌和平均表面粗糙度上，刚沉积膜 (图 6a、6c) 后退火处理膜 (图6b、6d)没有区别。 虽然随O 流量的增加，膜 的粗糙度 从 1．3nm 增加至 2．7nm，它们具有相当平 的表面，与 0， c．刚沉积 (O150sccm．) d．后遇火 (O 50sccli1) 图7不同O流量时．在硅片上GFS沉积TiO 薄膜的SEM图 流量无关，而普通反应溅射法 与此有关。 告称，锐钛矿 电子结构包含有若干种氧空穴，这 是基于第一主带估算出的，从完整的锐钛矿晶体 中移走 1个氧原予，缺陷能级模糊出现在中间能 隙，而在 2个氧原子窄缺时新能级清楚地产生存 中 日『J能隙。TiO 膜的光催化作用受l5lII体蜕化的强 烈影响， 为在价带和导带之 问产生了空穴和激 发 电子的再复合 中心，因此晶体的改善和抑制缺 陷的产生对光催化活性是重要的。 GFS与一般磁控溅射相 比，优越之处在于 其抑制 了高能量粒子，诸如0 离‘子或氩中性粒 2．7nm R=26nm c．刚 沉积 (O，50sCCll d．后退火 (O、50sccm) 子轰击生长的膜表面，由于高的总气压和气体原 图6不f司O 流量时．在硅片上GFS沉积 IiO薄膜的AFM 图 子平均 自由程很短造成高能粒子的热作用，因此 图7为 O，流量为 l0、50sccm下，用 GFS TiO 膜用 GFS法在最优情况下沉积应该包括更 方法在硅片 沉积的Ti0，膜 的扫描 电镜 (SEM) 少的氧空缺，以减少再复合中心。 ， 其中，每张图包含平视图(左)和横截面图 (右 )。当O 流量为 50sccm时，刚沉积和经后 3结论 退火两种情况 F虽有 些‘微裂缝，其表面形貌几 光催化TiO膜采用GFS方法制备，GFS沉 乎相 同， 退火无关。在 SEM 平面 图中，当 积法的沉积率是一般 Ti金属靶在氧化模式下溅 O，流量为 10sccm时，膜 的颗粒尺 ‘(图7a、 射的沉积率的30倍 。当O 流量在 l0～50sccm 7b)小于0，流坦为50sccm的涂层颗粒 (图7c、 时，沉积膜透明，全为非晶结构， 空气中后退 7d)，在SEM横截面 上 叮【明显地看剑柱状组织 火 (300℃、1h)，膜转变为多品锐钛矿 TiO 。光 (刍O，流牢为 l0、50sccm，样品为刚沉积和经 分解 乙醛的作用经过后退火的TiO 薄膜高于未 后退火两种 )。 经后退火的TiO 薄膜，后退火膜的分解速度远 众所川 ，在溅射过程中会产生若干种高能 大于未经后退火的膜，这说明用 GFS沉积的锐 粒 f，它会 导致 晶体蜕化，例如品格畸变和氧