使用平面工艺探测器探测高能粒子.pdfVIP

使用平面工艺探测器探测高能粒子 施伟红1陈鸿飞‘邹鸿1邹积清 田大宇2宁宝俊2张录2 (北京大学1．地球与空间科学学院空间物理与应用技术研究所：2．微电子所北京100871) 摘要： 在空问环境探测中，需要探测Meg量级的电子．高能电子的穿透能力较强， 需要采用较厚的探测器进行探测。通常采用锂漂移型探测器．由于锂漂移型探测器 有噪声大、不稳定等弱点，所以我们在新一代仪器上采用了新平面工艺擐测器一一 离子注入型(PIN)探测器．但是，由于受目前工艺限制，PIN探测器产品的厚度 还不能达到要求，因而我们采用探测器并联方法来增加厚度．本文通过对该方案进 行的实验进行分析，以证明其可行性． 关键词： 空间高能电子探测半导体探测器离子注入型探测器 中图分类号：TIll4，P353．4 1．引言 自从美国的Mckey发现半导体能探测射线，到六十年代初半导体开始用于空间带电粒子 的测量，经过几十年的努力，半导体探测技术得到了极大的发展。半导体探测器具有能谱分 辨率高、时间分辨率好、结构简单、体积小、重量轻、易于加工等特点，特别适合于空间辐 射探测研究，在磁层粒子、太阳宇宙射线、银河宇宙射线、x射线、Y射线等空间环境探测 领域中得到广泛应用。空间探测中常用的半导体探测器分为面垒型、离子漂移型和离子注入 型。 锂漂移探测器是利用P型型半导体，将锂从它的一面扩散进去，锂在半导体体中具有低 的电离能(在硅中是0．03电子伏，在锗中是0．01电子伏)，它的一个价电子在室温下全部 贡献到导带内，起施主(N型)杂质的作用，它与原来P型杂质硼离子形成稳定的B—Li离 子对从而达到补偿的目的。用硅和锗都可以制作锂漂移探测器，分别叫做硅锂探测器和锗锂 探洲器。 锂漂移探测器的灵敏层厚度可以做的较大，适合用于高能粒子希ix射线、y射线的测 量。但是锂漂移探测器也有它的缺点，稳定性不够，分辨率不够高，噪声较大，容易出故障。 针对锂漂移探测器的问题，在新的资源一号卫星上，我们采朋了新型的离子注入PIN探测器。 离子注入型探测器是利J千{离子注入掺杂法构成P-I—N结。这种方法制造的探测器对环境 和真空都很稳定，并且可以得到极薄的窗。北京大学微电子研究所通过儿年来的研究，采用 先进的半导体微机械工艺，研制出离子注入班探测器…。在制造时采用快速退火技术，使探 测器性能稳定。在探测器表面进行氧化、光刻和电极处理，对表面进行保护，避免探测器受 环境污染。由于采用微机械光刻技术，可以把灵敏区3nY．成不同形状，适宣制作位置灵敏探 测器，测量入射粒子的方向分布。这种PIN探{j|14器代表了当今的世界jF导体探测器的先进水 平。其反向漏电流为几nA量级，比金硅面垒小1个多封级，比硅锂探洲器小2个数量级以 上，并且具有很好的环境适应性和稳定睦。 2．探头结构 在空间环境探测中，我们需要探测MeV量级的电子。例如资源一号卫星粒子辐射监测器 374 探测的高能电子的能量在2．0MeV以上。为了能够探测2MeV能量的电子，探测器需要达到一 定的厚度。根据计算，概率为99％的2MeV的电子在硅中的射程为 R=4．82mm， 所以，探测器的厚度应该大于4．82mm，我们选择了5mm。 受制做设备和工艺过程限制，离子注入PIN探测器的缺点主要是灵敏层不容易做厚。为 了用这种探测器满足厚度要求，我们尝试使用多片探测器的方法来解决这一问题。 目前PIN探测器制作比较成熟的产品最厚达lmm，和我们的需求厚度相差很远。因此， 我们在探头结构中采用将探测器串连的方法，而在电性能上采用将探测器并联的方法，即将 5片lm厚的探测器并联使用。 SDll 100／gm探测器 SDl2 ● 5个lnnn探