合成側鏈型樹枝狀共聚物和其自組装型態之研究.pdfVIP

合成側鍵型樹枝狀共聚物及其自組装型態之研究 洪放源[l] 謝尚儒[1]王振乾[2] 隙志勇*[1] 1.成功大學化學工程學系，台灣台南70101 2.南台科技大學化工與材料學系，台灣台南71005 本研究利用樹枝状共聚物的結構特異性與自組装行為，經由單純的溶劑诱導相分 離製程，製備出具有秩序規則排列之薄膜材料。首先利用發散反應方式製備出樹 枝状單體(GMA-HPAM)，並透過自由基起始系统等聚合反應製備出側鍵型樹枝状 共聚物PGMA-HPAM-r-PS。再經由溶劑诱導相分離法製備出樹枝状共聚物薄膜材 料。其中，透過電子顯微镜的觀察得知将樹枝状結構導入共聚物鍵段當中，有助 於共聚物分子鏈段具備自組装之行為。並且在特定的條件比例下，樹枝狀共聚物 能形成秩序規則之自組装排列。此外，樹枝状共聚物結構鏈段間的作用力會影響 所製備之薄膜的表面構型，側鏈型樹枝状共聚物PGMA-HPAM-r-PS薄膜表面構型 呈現微孔的型態。 關鍵詞：樹枝状共聚物；溶劑诱導相分離法；自組装排列 洪散源等：合成侧缒型树枝状共聚物及其自组襞型憩之研究 序规则之自组装排列的薄膜。 寅黢方法 1．树枝状化合物HPAM．GX之裂倩 馀的MMA罩髓及甲醇溶剂，将其命名捣HPAM．G1。将HP√蝴．G1甲醇溶液缓慢 去多馀的EDA化合物及甲醇溶剖，将其命名羯HPAM．G1．5。重稷以上雨程 2．侧越型树枝状共聚物PGMA．砌?AM-r-PS之裂侑 利用AIBN(0．3讯％)省做起始剡用於起始聚合SM罩髓舆树枝状 GMA．HPAM巨罩髓，聚合反虑在氮氟瑕境下造行，DMAc做羯反虑溶剂，聚合 反虑共展畴24佃小畴，之後利用甲醇溶剖将树枝状高分子沉溅析出，纯化残存的 起始划、单髓去除，所得到的树枝状高分子将其命名鹑GX-Y，其中X代表代敷 (generation)，Y代表树枝状GMA．HPAM缒段所估的重量百分比(州％)。 3．树枝状共聚物薄膜之裂侑 induced 利用溶剖诱骚相分靛法(solventphases印arationmethod)柬裂借高分子 薄膜，首先将树枝状高分子溶於四氢呋喃(THF)富中，在室温下将其滴在不同的基 材上成膜，最後拿至烘箱中除去溶剂便可得到各式各棰比例的树枝状高分子薄膜。 敷掾结果 ‘ 和6．71ppm的飙虢分别是树枝状化合物HPAM．G1．0结槽中的．CH—CH3、 (c)和(d)可碓忽其结槽燕误。此外(c)和(d)舆(b)的结耩相比多出了於6=3．69ppm之 键结．O．CH3的H飙虢，如此可以碓定MMA是有效的利用烷化反虑键结得到树 枝状麈物HPAM．G2．0舆HPAM．G3．0。 此外以FT．IR吸收光藉分析箍定树枝状化合物HPAM之结横键结方式。圃二 FT．IR吸收光藉固。由固比较可以骚现，由於在HP削Ⅵ．G1．O的酯基上位於1728 cm．1之C=O官能基伸缩震勤吸收飙虢，在合成唧AM．G1．5後已缝位移至位於 1656 cm。的醯胺基上之C=0(amideI)官能基伸缩震勤吸收讯虢蓝可以觏察到醯胺 cm以 基位於1578ccmo之N．H(撇ideII)官能基弩曲震勤吸收飙虢，遗有位於3200 虞之N—H伸缩震勤吸收飙豌。再由HPALM．G2．0的FT．1R吸收光谱可以觐察到除 cm-1 了醯胺基位於1652cm。1的C=0(锄ideI)官能基之伸缩震勤吸收以及位於153l 第131页 洪放源等：合成侧键型树枝状共聚物及其自组装型戆之研究 cm-1的酯基之C=O官能基震 之N．H(锄ideII)官能基弯曲吸收讯虢，遐有位於1730 勤吸收飙虢。缝由1HⅫⅥR光藉舆FT．IR吸收光藉可以透明本研究成功合成树枝 状化合物。 Y屯 厂