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’98全国第七届“微玻集茂电路及z艺”学术台论文亲 C．13 功率放大器的过功率保护 李玉库杨树眷何黎辉 高林虎 电子部十-=所(050051) 【摘要】功率放大矗最怕的问题就是。烧毁’，本文分析了功事放大嚣烧毁的模 式．提出了限制烧毁的措施．本文着重介绍了功率放大嚣过功率保护措施，从 而巧妙地解决了功率放大嚣抗过功率烧毁课题． 1问题提出 小功率场效应管特别是低噪声GaAsFET最怕静电感应击穿，当然装成放大器后，就不 存在这个问题了。功率管烧毁原因，不外三种情况：一是过压，电压过高导致PN结(或沟道) 击穿，烧毁器件；二是过流，电流过大使得金、铝丝、PN结或沟道电流密度过大，则其承受 不了而烧毁；再者是，电压、电流虽不高，但其功耗太大，产生的热量过大，一时散不出去 而引起器件烧毁．为了避免以上情况的发生，应用中多采用降额措施，电压、电流降额系数 一般取0．7．即器件在70％额定工作电压、额定工作电流下工作；功耗降额系数一般就是0．5 了．亦即在半功率下工作．似乎这样就安全了，实则不然。因为当前电磁环境非常复杂，尤 其是电子对抗干扰环境中，输入功率过激励情况时有发生，在调试过程中输入信号过大或输 出开短路的误操作也时有发生，这些情况很可能给固态功率放大器带来毁灭性灾难。为避免 这些灾难的降临，我们设计了电平自动控制(ALc)电路，解决了固态功率放大器抗过功率的 自保护问题。 2电路构成 我们设计的固态功率放大器功能框图如图1所示： 图1 固态功率放大器功能框图 线性放大单元由三级组成：第一选用低噪声双栅Ca／isFETCX663，它在2GHz频率下噪 二225— FET FET CX562，第三级选用中功率GaAsDX672，输出功率Po(1dB)27dBm。 功率Po(IdB)30W。 ALC电路选用LMl58双运放。 射频输入端、线性放大单元与功率放大单元之间接有隔离器，射频输出端接有环行器。 2．1受控器件 FEZ 我们取的受控器件是低噪声双栅GaAs CX663，它的第一栅作信号放大用，且具有 低噪声性能；第二栅增益可变化40dB，用作控制。我们在电路设计中，控制信号就加在CX863 的篼二栅极上。 2．2控制器件 设计为电压比较电路，即控制信号电压大到一定程度，电路才起控。 2．3过激励保护 我们设计的固态功率放大器工作在UHF频段，任务要求固放增益60dB，额定输出功率 命的退化。为此我们设计了自动电平控制(ALC)电路。在线性放大单元第三级输出端取出大 约5％的信号功率，经检波、滤波加到运放LMl58的异性输入端(同性端接参考电压Vref)， 放大后加到CX663的第二栅极上，电路如图2所示； CX663CX562 DX672 6 一V吐 vtd 图2过激励保护电路 2．4输出开、短路保护 ——226—— 我们的任务要求固放输出端可以接驻波无穷大的负载，即固放有承受输出端开短路的能 力．而且固放性能不受损。我们的功放输出功率比较大(25W)，输出端采用了环行器，这样功 率负载单独做、单独接，对大功率散热比较好处理，也方便我们从功率吸收负载电阻上取出 输出功率的反射信号(通过缝隙电容取出很少的功率)，经检波、滤波加到Lbil58的异性输入 端．放大后控制CX663的第二掘。电路如图3所示： WD0242 WD0241 环行器 图3输出开短路保护电路 2．5调试 调整-V92偏置电阻(即改变第二栅偏压)，以得到所需的起始增益值。将参考电压