STM8S系列单片机原理与应用 教学课件 作者 潘永雄 第1 5章 第3章.pptVIP

3.2 存储器读写保护与控制寄存器 3.2.1 存储器读保护(ROP)选择 　　在ICP编程状态下，如果选项字节OPT0(ROP)被编程为AAH，则EEPROM(DATA区)、Flash ROM(包括UBC和主程序区)均处于读保护状态。用户可在ICP编程状态下，重新指定选项字节OPT0的内容(置为00H)，以解除存储器的读保护状态。不过，一旦取消存储器读保护状态，芯片将自动擦除EEPROM(DATA区)、Flash ROM中的全部信息。 3.3 Flash ROM存储器IAP编程 　　Flsah ROM内的主程序区与EEPROM存储区均支持单字节、字(4字节)、块(64字节或128字节)擦除及编程。其中每一种编程方式又可分为标准编程方式和快速编程方式：当待写入的目标存储单元不是空白时，先擦除再写入，编程时间包括了擦除时间与写入时间，这就是所谓的“标准编程方式”；而当待写入的目标存储单元为空白时，无须擦除就可以直接写入，编程时间缩短了一半，这就是所谓的“快速编程方式”。 ; 首地址在索引寄存器X中 BTJT FLASH_IAPSR, #3, eeprom_word_write_next1 ; ?0, 即状态寄存器FLASH_IAPSR的DUL(b3)位=0，EEPROM处于保护状态，先解除保护状态 MOV FLASH_DUKR, #0AEH ; 向EEPROM写保护寄存器FLASH_DUKR连续写入 ;? AEH、56H，解除写保护 MOV FLASH_DUKR, #56H eeprom_word_write_next1: MOV IAP_OK_Symbol, #4 ; 定义重复操作的最大次数 MOV FLASH_CR1, #00 ;? IE为0，即查询方式；FIX为0，自动选择编程周期 eeprom_word_write_LOOP1: MOV FLASH_CR2, #40H ; 将FLASH_CR2寄存器的b6位(WPRG)置1，选择字编程方式 MOV FLASH_NCR2, #0BFH ?; 将FLASH_NCR2寄存器的b6位(NWPRG)清0，选择字编程方式 ; ?装载 LD A, {IAP_write_data_buffer+0} ; 取第0字节 LD (0,x), A LD A, {IAP_write_data_buffer+1} ; 取第1字节 LD (1,x), A LD A, {IAP_write_data_buffer+2} ; 取第2字节 LD (2,x), A LD A, {IAP_write_data_buffer+3} ;取第3字节 LD (3,x), A ; ?装载结束，内部自动启动写操作 eeprom_word_write_next2: BTJF FLASH_IAPSR,#2, eeprom_word_write_next2 ; 查询等待 ; ?校验 LD A, (0,X) ; 取0号单元 XOR A, {IAP_write_data_buffer+0} JRNE eeprom_word_write_next3 LD A, (1,X) ; 取1号单元 XOR A, {IAP_write_data_buffer+1} JRNE eeprom_word_write_next3 LD A, (2,X) ; 取2号单元 XOR A, {IAP_write_data_buffer+2} JRNE eeprom_word_write_next3 LD A, (3,X) ; 取3号单元 XOR A, {IAP_write_data_buffer+3} JREQ eeprom_word_write_exit ; 最后一个字节校验正确 eeprom_word_write_next3: ; 校验错误，重新装入 DEC IAP_OK_Symbol JRNE eeprom_word_write_LOOP1 eeprom_word_write_exit: BRES FLASH_IAPSR,#3 ; 清除DUL位，恢复写保护状态 RETF RETF RETF 当需要向EEPROM存储区写入字信息时，可按如下步骤初始化后执行CALLF指令 即可。 ; 初始化写入缓冲区 MOV {IAP_write_data_buffer+0}, #XXH