熔体旋甩法制备Zn4Sb3热电材料微结构地研究.pdfVIP

王札强等：熔体旋甩法制备zn。sb。热电材料微结构的研究 熔体旋甩法制备Zn4Sb3热电材料微结构的研究4 王礼强，李涵，唐新峰 (武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室，湖北武汉430070) 摘要： 采用真空熔融．熔体旋甩．退火．放电等离子烧 为补偿制备过程中的zn挥发，将原料按化学计量比Zn 结(sPs)工艺制备了单相B．zn4sb3块体热电材料．对过量8％混台后密封于真空石英管中(1o_3Pa)。在熔融炉 退火前后的薄带和sPS烧结后块体材料的相组成和微 结构进行了分析和表征．结果表明：熔体旋甩后分相的 薄带在退火后转变成主相为zn4sb3的薄带，退火薄带 合金制成薄带状产物，对薄带产物在400℃密封退火600s sPs烧结后得到了致密的阻zn4Sb3块体材料；冷却速率 后用玛瑙研钵研磨均匀，用放电等离子烧结(sPs)设备在 和退火工艺对薄带自由面和与cu辊接触面的物相和形 400℃，3豫佃a下烧结5IIlin得到致密的块体材料。 貌变化影响较犬；该工艺制备的B．ztl4sb3块体热电材料 薄带的退火工艺由熔体旋甩后薄带的DTA．TG曲 致密，晶粒尺寸细小，约为50～80nm。 线确定。退火前后的薄带和sPS烧结后试样的物相组成 关键词： }zn4sb3；熔体旋甩；微结构 中图分类号：TN304．2 文献标识码；A s．4800场发射扫描电镜(FEsEM)进行。 文章编号：1001—9731(2007)增刊．1345-03 3结果与讨论 l 引 言 3．1 制备工艺对相组成的影响及相转变过程分析 近年来，p型B．zIl4sb3以其优越的热电性能、相对图1所示是不同阶段所获得化合物的xRD图谱。 低廉的成本、对环境的友好引起了人们的广泛关注【10】， 其第一次热循环时的热电优值(z乃在673K时达到了 髂体旋甩法制得的薄带、退火后的薄带以及sPS烧结后 1．3【41，为目前中温领域热电性能最好的材料之一。 块体材料的xRD图谱。 3种晶型，分别在263、263～ zn4sb3具有a、B、Y 767、767K以上稳定存在”4】。zn．sb体系随组成和温度 的变化存在复杂的相转变。尽管B．zn4sb3具有优良的热 电性能，但是该化合物从高温相向低温相转变过程中存 在热膨胀系数的变化以及使用过程中zn元素的挥发， 导致使用过程中产生大量的微裂纹和化合物配比发生 变化嘲。因此弄清zn—sb体系相转变的机理m”】，制各 性能优良致密无裂纹的B—zn4sb3块体热电材料【1。”l，具 有重要的理论意义和应用价值。 熔体急冷法通过熔体的快速冷却可以极大程度的保 存熔体状态，同时快速凝固形成的固体中存在尺寸细小 2F，【。I【CuK嘲 的非晶态或亚稳态相等细微结构，从而可以改善材料的 圈1 阻z114sb3不同制备阶段的xRD图谱 l xRD of wim diffbrcnIof 显微结构，提高材料的热电性能【l“q。本文采用一种新 Fig pattemsp-2舢sb3 stage 的热电材料制各工艺——熔体旋甩法，同时结合放电等 Pr印aration 从)mD图中可以看出，熔体旋甩法制各的薄带主 离子烧结(sPs)工艺得到了致密无裂纹的单相B_zIl4sb3 块体材料，系统地研究了熔体旋甩、退火及sPs烧结工 艺对薄带及块体材料的相组成和微结