三元体系化学水浴法制备ZnS薄膜结晶性能地研究.pdfVIP

!!!! 堑 丛 丝 盐 !!!!堡塑型!塑!鲞 三元体系化学水浴法制备znS薄膜结晶性能的研究+ 王应民1，一，孙云1，蔡莉2，杜楠2，孙国忠1，李禾2 (1．南开大学光电子薄膜器件与技术研究所，天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室，天津300071 2．南昌航空工业学院材料科学与工程学院，江西南昌330063) 摘要： 太阳薄膜电池zns缓冲层一般以氨水为主络 适合用来制作太阳电池的zns薄膜。 合剂、水合肼为辅助络合剂二元络合体系化学水浴法制 2实验过程 备。实验发现以氨水为主络舍剂、水合肼和柠檬酸为辅 助络合剂三元体系制备的zns薄膜质量明显要比氨水、 2．1样品的制备 水合肼二元体系的zns薄膜好．薄膜表面更加光亮、平 首先将A杯放入水浴箱，超声清洗好的玻璃衬底垂 整，光透过率能得到明显提高．从实验现象和测试结果 直放入A杯中，放置方法如图l所示。 来看，随柠檬酸浓度增加，在反应溶液中无定形态白色 沉淀明显减少，zns薄膜结晶性能也得到明显提高，zns 薄膜光透过率升高。柠檬酸浓度为0．15mol，L时，薄膜 光透过率达到85％左右，完全满足太阳能电池的要求； 继续增加柠檬酸的量，薄膜光透过率趋于一致，光透过 率略有回落。 关键词： 化学浴沉积法；zns薄膜：透射光谱：柠檬酸 中图分类号：0414．24：TP212．2文献标识码：A 文章编号：100l。973l(2007)增刊．1512．04 l 引 言 太阳电池器件上广泛使用的缓冲层主要是采用化学 水浴沉积法制备的cdse…和cdsB”，由于在沉积含cd缓 不锈钢槽 冲层过程中会产生大量的含镉废水，对环境污染较大， 图1实验装置示意图 of l Schematic reactive 同时太阳电池器件的回收后处理也比较困难，所以人们 Fig diagrm system 加热水浴箱到预定温度，先往烧杯A中加入znsOt 纷纷开始研究无cd缓冲层，特别是cu(hl，Ga)s02基太阳电 溶液，开动搅拌器，约lIIlin后加入柠檬酸和水合肼， 池器件。现在已经发现zn(O，s，OH)类薄膜“”可以替代 然后缓慢加入氨水，直到溶液清亮。与此同时另取烧杯 cds。zns禁带宽度比cds更宽16】，对太阳光基本不吸收， B放入水浴箱中，加入精确量的硫脲，加入适量蒸馏水 可以使更多的高能量光子被传送到电极上，在z110，zns， 溶解，待烧杯B中的硫脲全都溶解后，将烧杯B中溶液 cu(In，Ga)se2电池中充当缓冲层，可以提高太阳电池光电 转换效率。但这些器件的研究正处于探索阶段，性能还 加入到A杯中，并用相同温度的蒸馏水，调节溶液体积 有待提高。而目前采用化学水浴沉积法制备zns薄膜的有 为loo“。在反应过程中，需加入少量的氨水，使溶液保 关报道却很少。为了制作出具有实用价值的器件，有必 持在pH=lO左右；在反应过程中为防止大的团簇颗粒的 要研究不同反应条件下制各皿s薄膜的结晶状态。 沉积，添加少量分散剂丙三醇．控制沉淀团簇的大小， 目前，化学浴沉积法制备的zns薄膜多以氨水为主 使反应的zns颗粒较为细小，这样保证沉积薄膜均匀、平 络合剂，水合肼为辅助络合剂的二元络合体系”51，本 整。到达沉积时间后，取出试样，清洗，晾干。 研究在二元体系的基础上，通过添加柠檬酸络合剂，进