《光电成像原理》第7章(3节)20101006定.ppt

* * §7.3 摄像管的分类 二次电子发射积累型，如：超正析摄像管； 二次电子导电积累型，如：SEC摄像管； 光电导积累型，如：各种视像管； 电子轰击感应电导积累型，如：电子轰击硅靶摄像管。 按电荷积累方式分类 按光电变换形式分类 外光电变换型，利用外光电效应，即带光阴极摄像管。 内光电变换型，利用内光电效应变换的视像管。 按视频信号读出方式分类 信号板输出型，利用上靶电子取信号，信号板和靶是固定在一起(靶输出型)。 双面靶输出型，从靶面反射电子取信号，又称返束输出型。 氧化铅靶和硅靶是最常用的结型光电导靶。 无结型（Sb2S3）采用均匀光电导体，暗电流和惰性大。 光电导性质： 注入型 阻挡型 靶的结构： 无结型 结型 在视像管中，光电导靶面既作为光电变换器，又作为电信号存贮与积累器。 　　主要部件：光电导靶、扫描电子枪、输出信号电极和保持真空的管壳。 §7.3.1　光电导摄像器件 　　Sb2S3特点：惰性大，灵敏度低，工艺简单、成品率高、价格低廉等优点，在大量使用摄像机工业用闭路电视方面有广阔的用途。 注入型光电导靶(Sb2S3) 标准Sb2S3参数： 光电灵敏度0.2-3.5μA／1x； 三场后惰性15％一25％； 中心分辨力700线； γ值0.65。 Sb2S3构成： 　　 多层结构，各层间接触属于注入接触，即界面间不产生势垒，对双向移动的载流子都不产生阻挡作用。 全靶1?m。两边致密层为0.06-0.15 ?m厚。中间疏松层0.7-0.8 ?m厚，增加其厚度有利于降低惰性，会使光电灵敏度变差。 Sb2S3构成： 注入型靶的参数分析： 靶的电阻率 为提高灵敏度，要求 大于帧周期T的5倍到10倍 注入型靶驰豫时间与靶结构尺寸无关，仅取决于靶电阻率与介电常数。 max % 90 S S = 选较高电阻率的靶不仅提高灵敏度，可减小暗电流及减小靶面电荷的横向扩散。改善电视摄像的分辨力。 靶的等效电容 为了降低靶面残余电位造成的惰性，通常要求 靶的厚度 在靶的深度为 处已被吸收的光子通量为 在靶的深度为 处已被吸收的光子通量为 紫光在0.1um的深度被吸收83.5%。 靶吸收83.5%的红光入射需要的深度为1～2um。 结论：要获得可见光区全光谱响应，靶厚选1um左右。 靶的厚度决定靶的等效电容 靶的等效电容值范围: 惰性对等效电容值要求 信噪比SNR对靶的等效电容要求： 的最小值是由摄像机的预放器的噪声决定，较好的预放器噪声电流在输入端的等效值为 若取SNR为40dB, 噪声电流与信号电流之比为 要求 大于帧周期T的5倍到10倍,由 应为 的 ，通常 ， 。 靶的等效电容值应选的范围是 可得出 注入型靶的光生载流子平均移动距离较小。厚度大于2um将严重损失光电灵敏度。 Sb2S3靶不能同时满足光电灵敏度和惰性两方面对厚度要求。 靶的禁带宽度 长波光谱响应对禁带宽度的要求。 暗电流对禁带宽度的要求。 注入型光电导靶存在的问题: 光谱响应与暗电流对禁带宽度的要求是相对立的； 光电灵敏度和惰性对靶厚的要求也是相反的； 靶压对光电灵敏度和暗电流的影响是矛盾的。 阻挡型光电导靶（PbO) 　　特点：灵敏度高、暗电流低、惰性小。 　　 结构和工作原理 在N型界面处形成了防止空穴注入的阻挡层，在P型界面处形成了防止电子注入的阻挡层。 靶工作时所施加电压使这一异质结处于反向偏压的状态，暗电流很小。 当光入射到靶面时，大部分光子被本征层吸收，产生光生载流子。本征层具有足够强的内电场，光生载流子一旦产生即在电场力作用下加速漂移。 空穴被快速移向P型区，电子被快速移向N型区，通过一帧时间的积累，在靶面上形成了电荷图像。 PbO的特性分析: 光电转换特性与灵敏度 　本征层电阻很高，可承受强电场，反向偏压全施加在本征层上。光生载流子在本征层中的渡越时间极短，复合几率降低，几乎全部光生载流子对光电导有贡献。 PbO的特性分析 暗电流 　PbO工作反向偏压的状态，阻挡了多数载流子的注入。暗电流仅限于少数载流子以及本征层中热生载流子的贡献。 饱和暗电流值1～2nA，不随靶压变化。 光谱响应特性 　 PbO本征半导体对光吸收有选择性。蓝光在N层吸收，容易复合，响应低。增大红光吸收应增厚本征层。过厚的本征层会造成电荷的横向扩散从而降低分辨力。 惰性 PbO靶在强电场中漂移速度很高。陷阱俘获几率变小，电导性惰性也很小。 PbO惰性较小。厚度大，15～20um。 靶面等效电容 分辨力 PbO靶分辨力不高。中心分辨力为750TVL。 原因：PbO靶厚度大，并具有多孔的疏松结构。光子、电子在靶中多次散射