影响RADFETsγ剂量探测器性能的一些因素.pdfVIP

第11届全国核电子学与核探测技术学术年会论文集 Detection Electronics＆NuclearTechn0109y Nuclear on Conference ofthellthNational Proceedi“gs 影响RADFETs7剂量探测器 性能的一些因素 刘虹宇，马 露，周春芝，李元方，赵建兴 (防化研究院第二研究所，北京1044信箱203分箱102205) 摘蟊简要介绍了影响RADFET$T探测器的一些因素·并对一些解决方法提出讨}盼 关奠谰：RA。FET87探测鼓+曼敏度4稳定性5温举 使很高的阈值电压¨难以降低，增大探测器 0引言 的不一致性和不稳定性。 1．1．2工作偏压的影响 ‘ 辐射场效应管(简称RADFETs)7剂量探 测器现在已经广泛应用到宇航、核电站和核医 探测器辐射灵敏度依赖于辐照时栅极电压 的大小。因为电离辐射产生的空穴一电子对未被 学等部门的7辐射剂量测量。RADFETsT剂量 复合概率依赖于栅氧化层内的电场效应E～E。， 探测器是选用lOll·cm左右、(100)晶面的n 型硅单晶片，用改进的Mos场效应管加工工 越大，探测器辐射灵敏度越高。表1列出了栅极 艺和特殊要求的氧化技术制作的一种特殊的P 偏压对RADFETsT剂量探测器的灵敏度的影 响。考虑到探测器稳定性等有关问题，氧化层的 沟遭增强型MOSFETs。而辐射灵敏度、一致 性、稳定性以及温度响应是半导体探测器的重 电场达到6～8mV／cm时就会击穿，因此选取 要指标，因此，我们进行了多项实验工作，研究 lmV／cm的栅氧化层电场的栅极电压条件是 各种因素对上述性能的影响，以便使该探测器 在探测器辐射灵敏度和稳定性之间的一种较好 更好地应用于实际工作中。 折衷。 裹l栅壤偏压对探测器辐射灵敏度的影响 l研究结果与分析 1．1对辐射灵敏度的影响 1．1．1栅氧化层厚度的因素 当探测器制造工艺相同时，假定辐射产生 的空穴被陷阱全部俘获，探测器最大的辐射灵 1．2对探测器一致性、稳定性的影响 敏度将由下式确定： 采用在一个基片上制造两个结构相同性能 S=△矿r／D=ItL 相似并对7灵敏的IGFETs，审于辐照时工作 其中，D代表吸收辐射剂量，￡。是栅氧化层 电压不同，在两个IGFETs辐射感生阈值电压 厚度，k是以ciil为单位表示k的常数。我们试 的增加也不同，通过测量两个IGFETs周值电 验证明了探测器灵敏度与栅氧化层厚度之闻大 压增量之差的方法来测量辐射剂量。因为在同 体存在着上述关系。但不能仅用增加k来无限 一基片上用同样工艺制造的两个IGFETs的性 提高探