电子技术与实训 教学配套课件 刘陆平 第1章 常用半导体器件.pdfVIP

第1章 常用半导体器件 • 本章学习目标 • 1.1 半导体的基本特性 • 1.2 PN结 • 1.3 半导体二极管 • 1.4 半导体三极管 • 1.5 场效应管 • 1.6 集成电路分类 第1章 常用半导体器件 • 本章学习目标: • 半导体的基本特性以及PN结的特点； • 半导体二极管的结构、分类和伏安特性； • 特殊二极管的特点和作用； • 半导体三极管的基本结构、工作原理和特 性曲线； • 场效应管的结构、分类和主要参数； • 集成电路的分类和简介。 返回 1.1 半导体的基本特性 • 1.1.1 半导体的特点 • 半导体是指导电能力介于导体和绝缘体之间的物 质，在外界温度升高、光照或掺入适量杂质时， 它们的导电能力大大增强。 • 热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增 强。 • 光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化。 • 掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电 能力明显改变。 • 因此半导体被用来制成热敏器件、光敏器件和半 导体二极管、三极管、场效应管等电子元器件。 1.1 半导体的基本特性 • 1.1.2 本征半导体 • 化学成份完全纯净的、具有晶体结构的半 导体，称为本征半导体。在绝对零度（T= －273oC ）和没有外界激发时，价电子完全 被共价键束缚着，本征半导体中没有可以 运动的带电粒子，不导电。当受外界热和 光的作用时，它的导电能力明显变化，往 纯净的半导体中掺入某些杂质，会使它的 导电能力明显改变。 1.1 半导体的基本特性 • 在温度的作用下，使一些价电子获得足够 的能量而脱离共价键的束缚，成为自由电 子，同时共价键上留下一个空位，称为空 穴。自由电子和空穴总是成对产生，自由 电子带负电，空穴带正电。自由电子和空 穴都是可以自由移动的载流子，如图1-1所 示。 1.1 半导体的基本特性 • 1.1.3 掺杂半导体 • 在纯净的半导体中掺入适量杂质元素的半导体称 为杂质半导体，如果掺入的是三价元素，称为P型 半导体，P型半导体的空穴为多数载流子（简称多 子），自由电子为少数载流子（简称少子）。如 果掺入的是五价元素，称为N型半导体，N型半导 体的自由电子为多子，空穴为少子。 • P型半导体以空穴导电为主，N型半导体以自由电 子导电为主。无论N型或P型半导体都是中性的， 对外不显电性。 返回 1.2 PN结 • 1.2.1 PN结的形成 • 在一块完整的硅片上，用不同的掺杂工艺使其一 边形成N型半导体，另一边形成P型半导体，在交 界面附近因载流子浓度不同，形成扩散运动，多 数载流子分别向异区扩散，结果在交界面处多数 载流子因复合而耗尽形成空间电荷区，也叫耗尽 层，又叫内电场，在内电场的作用下，少子载流 子的运动叫漂移运动。当扩散和漂移这一对相反 的运动最终速度相等，达到动态平衡时，空间电 荷区的厚度固定不变，这个空间电荷区就叫PN 结。 1.2 PN结 • 浓度差→多子扩散运动→复合→产生内电 场→阻碍多子扩散→有利少子漂移运动→ 扩散运动和漂移运动达到动态平衡→形成 一定宽度PN结，如图1-2所示。 • PN结是构成半导体器件的基本单元。 1.2 PN结 • 1.2.2 PN结的单向导电性 • 1.加正向电压导通 • PN结的P区接电源正极，N 区接电源负极 时，叫加正向偏置电压简称正偏。此时外 加电压的外电场削弱了内电场，