低温生长的Ge%2fSi超晶格界面结构的X射线散射的探究.pdfVIP

低温生长的Ge／Si超晶格界面结构的x射线散射研究+ 吴小山1谭伟石1杨立1黄秀清1蒋树声2吴忠华2丁永凡3曾鸿祥 1南京大学固体微结构物理国家重点实验室，南京210093 2中国科学院高能物理研究所，国家同步辐射实验室，北京100039 3国立台湾大学凝聚态中心，台湾 纳米结构的Ge／5i超晶格或SiGe合金由于其优异的光电特性近年来受到人们的 米结构，3D—Ge hut)通常出现在Ge层的上方”1。然而，近年来，低温下生长了Ge／Si超晶 格…末观测到在Ge湿层上的突起(“hut”)结构。本文报道了x射线镜面反射和漫散射的 研究结果。 实验所使用的样品在国立台湾大学凝聚态中心用分子束外延技术生长。样品结构如下： 度从15A增加到54A。x射线镜面反射及漫散射实验在北京同步辐射衍射站上进行。测量参 数为：x射线能量为8900 eV，入射狭缝AS=O．1×10 m2；接受狭缝为0．1o，NaI闪烁计数器： 测量角范围20=0～10。，步长A=0，020。偏置镜面反射的偏置角度为0．1A；横向漫散射是在 Ge／Si超晶格的Bragg峰位置测量样品的摇摆曲线而得到。仪器校准、样品调整及实验数据 的收集均在计算机的控制下进行。 圈1给出了Ge／Si超晶格的x射线镜面反射和o．10偏置的偏置镜面反射实验曲线。我 构。同时在0．10偏置的偏鼍镜面反射曲线上，我们也可以分辨多于10级的衍射峰，这些衍 射峰则来源子超晶格中关联的粗糙界面的相干散射(正则粗糙度)。真实的镜面反射可以通过 镜面反射数据与偏置镜面反射数据的差值给出。 0／arc Angle seconds 髓l 6e／$i趣矗格(Ge屡耳度为22^夏38^)的x射矗t面矗射与O．1。■I■面反射钓宴t及撮合叠落 掠入射x射线镜面反射率是仅对材料电子浓度分布敏感的实验技术，它与材料的具体晶 体结构无关。根据生长参数，我们拟台得到对样品真实镜面反射率对应的结构参数(表1)。 缓冲层及Si子层的表面粗糙度随Ge子层的厚度而变化．当ck,=38A，Si子层的表面粗糙度 为最大。Ge子层上、下表面的粗糙度极为反对称，上表面的粗糙度仅约为下表面粗糙度的 1／lo。实验中拟合的粗糙度主要来源于界面附近电子浓度分布不均匀所致．它由两部分组成： ’田象白端科学基金赍助项目(N。】0023001 36 (1)由于表面高度一高度关联(H—H)引起的粗糙度；(2)由于不同组元在界面扩散的组分 关联(c—c)引起的粗糙度(或形成合金相等)。如果我们考虑拟合粗糙度仅来源于界面的 考虑是合理的)，50h的界面粗糙度在半导体超晶格中是不可信的，而且与平整表面的观测 结果不符。另一方面，我们注意到拟合得到的Ge亚层25A的厚度远小于生长设计的38A厚 度和54A，因此，我们可以假定由于Ge／Si界面处大的晶格应变驱动(Si Ge的相对晶格失 组分结构。这个假定与x射线近边吸收限(EXAFS)的研究结构吻合的很好…。 寰1．按生长参数报台脊到的鲁亚层相关参数(相对质量密度为相肘于相应体材料的值) d＆(A) si．缓冲层 Ge．子层 Si．子层 t 3715 18．5 486．2 22 32 5．5 43 5 435 25 6 4731 38 47．5 70 471 t 480．3 30，5 496．7