- 1、本文档共4页,可阅读全部内容。
- 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
- 5、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
- 6、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 7、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 8、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
第21卷第2期 量子电子学报 、r01.21NO.2
OF ELECTRONICS
CHINESEJOURNAL Apr.2004
2004年4月 QUANTUM
文章编号: 1007—5461(2004)02—0269—04
紫外光电探测器的研制
Jian—hui2
吴正云1,XINXiao-bin2,YANFen92,ZHAO
(1厦门大学物理系, 福建厦门 361005;
2 SiCLAB,ECEDeptment.,RutgersUniversity,Piscataway,NJ08854,USA)
摘 要:MSM结构探测器具有结构与工艺简单、制备成本低、量子效率高等特点而在探测器应用中得到重
视.本文制备了采用镍作为肖特基接触形成的MSM4H—SiC紫外光电探测器,并测量和分析了在不同的偏压
下其光电特性.结果表明,该探测器的暗电流非常小,在偏压为15V的时候,漏电流密度约为70
nA/cm2,
光电流比暗电流高约2个数量级,其光谱响应表明,其最高光谱响应与380nm的比值约为1000倍,说明该
探测器具有良好的紫外可见比.
关键词:光电子学;4H—SiC;MSM结构;紫外探测器
中圈分类号:0434.22;TN303;0472文献标识码:A
1 引 言
紫外光电探测器由于在国防、紫外天文学、环境监测、火灾探测、涡轮引擎燃烧效率监测、可燃气体
成分分析和生物细胞癌变检测等方面有着广阔的前景,具有极高的军事和民用价值,是近年来国际上光电
探测领域的热点。特别是近年来,基于导弹紫外辐射探测的紫外报警技术发展极为迅猛,成为光电对抗领
域的一个重要研究课题。目前的紫外探测器仍然以紫外光电倍增管为主,它虽然灵敏度较高,但是存在体
积大(单管直径在5mm左右)、易损坏(玻壳封装)、需在高压低温下工作等缺点。近年来,日益发展的
宽禁带半导体为紫外探测器的研究开拓了新的领域,采用半导体紫外探测器取代紫外光电倍增管已经成为
可能。
在宽禁带半导体材料中,以材料和外延技术较成熟的GaN和SiC为代表,已经开展了许多种类器件
的研究。它们不仅在制备高温高功率器件上有其独特的优势,在紫外探测器方面也有许多应用。 GaN是
直接禁带半导体材料,是制备发光器件的优良材料,而SiC材料是间接禁带半导体,不适合于发光器件的
制备。然而,在光电探测器的制备方面,SiC材料在目前更有优势。首先,目前SiC材料的质量比GaN要
高,SiC材料的缺陷密度约103—104
SiC材料制备探测器,可以制备面积更大的探测器、器件的产出率更高、更有利于商业化生产。其次目前
的相对难度较低,制备的器件性能也比GaN要优良。
基翕项目:福建省厦门市科技计划项目(350220031076)
收稿日期:2004—02—10
E-mail:zhywu@xmu.edu.cn
270 量 子 电 子 学 报 21卷
点,如外延结构(仅需一层掺杂外延)和制备工艺相对简单、容易获得高量子效率,响应速度快等。我们在
完成以铝为肖特基接触电极的MSM结构探测器的基础上Is],采用镍作为肖特基接触电极,制备了MSM
紫外探测器并进行了探测器的光电性能的测试和分析。
2 样品制备
试验样品结构在厚度为400pm的n+型衬底上外延一层厚度为3.4pm,掺杂浓度为3.1×1015cm3的
n型层。样品在制备前,按照标准的清洗程序,对样品表面进行严格的清洗,去掉油污和金属。然后置入
氧化炉在1100℃温度下通湿氧气氧化1小时,在样品表面生成厚度约60am的SiO。牺牲层,接着在HF
中浸泡10分钟,彻底腐蚀去此牺牲层后,用去离子水冲
您可能关注的文档
- 江西外来飑线的常见卫星云图特征.pdf
- 降低输电线路大跨越航空障碍灯故障率方法的探讨.pdf
- 焦化厂煤焦油深加工利用方案的分析与探讨.pdf
- 焦灼与无奈的双重交割--纪昀《阅微草堂笔记》京师叙写心理探析.pdf
- 教改班学生解剖实验课设计初探.pdf
- 结合油气勘探开发新形势不断发展钻井新技术.pdf
- 晋城矿区“三高”劣质煤资源开发与利用探讨.pdf
- 经鼻内镜改良Lothrop术后修正手术的探讨.pdf
- 经脐单孔腹腔镜胆囊切除术临床应用探讨(附31例报告).pdf
- 精品课程“机械设计基础”建设的实践与探索.pdf
- 艺术疗法行业商业机会挖掘与战略布局策略研究报告.docx
- 智能家庭娱乐系统行业商业机会挖掘与战略布局策略研究报告.docx
- 医疗纠纷预防和处理条例与医疗事故处理条例的思考分享PPT课件.pptx
- 新冀教版(2025)七年级数学下册《6.1 二元一次方程组》习题课件.pptx
- 新冀教版(2025)七年级数学下册精品课件:6.2.3 二元一次方程组的解法代入、加减消元法的综合应用.pptx
- 导演节目行业市场发展趋势及投资咨询报告.docx
- 制作和服培训行业风险投资态势及投融资策略指引报告.docx
- 医疗转诊的行政服务行业消费市场分析.docx
- 文件装订行业市场发展趋势及投资咨询报告.docx
- 在线语言艺术教育行业分析及未来五至十年行业发展报告.docx
文档评论(0)