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金属-半导体-金属(MSM)结构4H-SiC紫外光电探测器的研制.pdfVIP

金属-半导体-金属(MSM)结构4H-SiC紫外光电探测器的研制.pdf

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第21卷第2期 量子电子学报 、r01.21NO.2 OF ELECTRONICS CHINESEJOURNAL Apr.2004 2004年4月 QUANTUM 文章编号: 1007—5461(2004)02—0269—04 紫外光电探测器的研制 Jian—hui2 吴正云1,XINXiao-bin2,YANFen92,ZHAO (1厦门大学物理系, 福建厦门 361005; 2 SiCLAB,ECEDeptment.,RutgersUniversity,Piscataway,NJ08854,USA) 摘 要:MSM结构探测器具有结构与工艺简单、制备成本低、量子效率高等特点而在探测器应用中得到重 视.本文制备了采用镍作为肖特基接触形成的MSM4H—SiC紫外光电探测器,并测量和分析了在不同的偏压 下其光电特性.结果表明,该探测器的暗电流非常小,在偏压为15V的时候,漏电流密度约为70 nA/cm2, 光电流比暗电流高约2个数量级,其光谱响应表明,其最高光谱响应与380nm的比值约为1000倍,说明该 探测器具有良好的紫外可见比. 关键词:光电子学;4H—SiC;MSM结构;紫外探测器 中圈分类号:0434.22;TN303;0472文献标识码:A 1 引 言 紫外光电探测器由于在国防、紫外天文学、环境监测、火灾探测、涡轮引擎燃烧效率监测、可燃气体 成分分析和生物细胞癌变检测等方面有着广阔的前景,具有极高的军事和民用价值,是近年来国际上光电 探测领域的热点。特别是近年来,基于导弹紫外辐射探测的紫外报警技术发展极为迅猛,成为光电对抗领 域的一个重要研究课题。目前的紫外探测器仍然以紫外光电倍增管为主,它虽然灵敏度较高,但是存在体 积大(单管直径在5mm左右)、易损坏(玻壳封装)、需在高压低温下工作等缺点。近年来,日益发展的 宽禁带半导体为紫外探测器的研究开拓了新的领域,采用半导体紫外探测器取代紫外光电倍增管已经成为 可能。 在宽禁带半导体材料中,以材料和外延技术较成熟的GaN和SiC为代表,已经开展了许多种类器件 的研究。它们不仅在制备高温高功率器件上有其独特的优势,在紫外探测器方面也有许多应用。 GaN是 直接禁带半导体材料,是制备发光器件的优良材料,而SiC材料是间接禁带半导体,不适合于发光器件的 制备。然而,在光电探测器的制备方面,SiC材料在目前更有优势。首先,目前SiC材料的质量比GaN要 高,SiC材料的缺陷密度约103—104 SiC材料制备探测器,可以制备面积更大的探测器、器件的产出率更高、更有利于商业化生产。其次目前 的相对难度较低,制备的器件性能也比GaN要优良。 基翕项目:福建省厦门市科技计划项目(350220031076) 收稿日期:2004—02—10 E-mail:zhywu@xmu.edu.cn 270 量 子 电 子 学 报 21卷 点,如外延结构(仅需一层掺杂外延)和制备工艺相对简单、容易获得高量子效率,响应速度快等。我们在 完成以铝为肖特基接触电极的MSM结构探测器的基础上Is],采用镍作为肖特基接触电极,制备了MSM 紫外探测器并进行了探测器的光电性能的测试和分析。 2 样品制备 试验样品结构在厚度为400pm的n+型衬底上外延一层厚度为3.4pm,掺杂浓度为3.1×1015cm3的 n型层。样品在制备前,按照标准的清洗程序,对样品表面进行严格的清洗,去掉油污和金属。然后置入 氧化炉在1100℃温度下通湿氧气氧化1小时,在样品表面生成厚度约60am的SiO。牺牲层,接着在HF 中浸泡10分钟,彻底腐蚀去此牺牲层后,用去离子水冲

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