脉冲直流等离子体增强化学气相沉积制备Si-C-N纳米超硬薄膜的探究.pdfVIP

第六届奎田表面工程学术毒宣 兰州2呻6年8月 脉冲直流等离子体增强化学气相沉积制备Si-C-N纳米超硬薄膜 研究 徐彬郭岩马胜利‘徐可为 (西安交通大学金属材料强度国家重点实验室，西安710049) 本实验条件下制备的Si-C-N薄膜为纳米晶和非晶组成的复台相结构，其中，纳米晶具有类似于 有C42、C=N、Si 度在40—60GPa之间． 关键词：PCVD，si《-N薄膜，微观结构，硬度 1．引言 首次用X射线光电子衍射谱证实所制备的cM以极性共价键的形式存在，化学式为13—c3N4，随即 人工合成CNx化合物成为超硬材料领域的研究热点。但迄今为止．还投有结晶颗粒大到足以测量其 物理、化学和力学性质的任何结晶相的CNx固体材料”1。基于上述研究困难，在CNx中加入si 晶结构，如纳米晶si3N4具有高硬度、高韧性、高热稳定性和良好的化学惰性；而SiC是硬质陶瓷 相，其耐腐蚀和耐磨损性能优异；c3N4是具有类似金刚石硬度和弹性模量的晶体相；C-C非晶相 中sps杂化态键链形成数量增加，也可明显提高薄膜硬度。因此，通过工艺优化和Si含量变化极有 得超高硬度的SiC—N超硬材料体系。 目前对Si-C-N材料的研究主要集中在纳米SiCN粉末的制备，如利用激光热解有机化合物等 素原子之问存在着较为复杂的化学状态，制备工艺对Si-C-N薄膜化学结构有很大的影响。 总体上考察，Si-C．N薄膜材料的研究刚刚起步，虽然揭示了若干实验现象，但缺乏相关机理的 研究，对其沉积过程还不完全清楚，同时还未见报道利用脉冲直流PCVD方法沉积Si-C-N薄膜的 研究结果。鉴于此，在课题组前期n-si-N薄膜的研究基础上，本文用脉冲直流PCVD技术在 W18Cr4V高速钢基体上成功制备出Si-C-N超硬薄膜，并重点对其微观结构进行了研究。 2。实验方法 ‘联系人：马胜利教授，西安交通大学金属材料强度国家重点实验室．西安710049，电话：029 E-mail：slma@mail．xitu．edu,ea 国际合作项目50420130033，以及国家教育部新世纪优秀人才支持计划项目NCET-044)934的共同支持 第六石套一裹由工租学*．4tit 兰州狮％年8月 主要由真空室及加热系统、脉冲直流等离子电源、气源供给及控制系统组成。为避免放电参量和加 热参量之间的相互牵铜，采用内热式加热系统保证沉积温度的需要。工作气体m、N2、H2流量及 SiCh蒸发量由质量流量计精确控制。用来产生等离子体的电源为自制的幅度可调脉冲直流电源， 即把占空比可控的低频调制波脉冲调制到某个固定高频脉冲载波上，在低频脉冲高电平持续期间产 生高压高频脉冲并实现稳流，以提高和稳定离化率；在低频脉冲低电平期间截止高频脉冲输出，以 便将热、电参数分开。用接触式热电偶测量试样表面温度，试样连接电极板并且作为阴极，真空室 炉体作为阳极且接地．试样经研磨抛光至镜面状态，用纯丙酮、酒精超声波清洗除油后烘干入炉。 Si-C-N薄膜的优化沉积条件是：温度550 25us，沉积时间为4个小时，实验中保持H2700ml／mia、Ar 积一层TIN薄膜过渡，其中，TiCh由载氢在40C恒温导入真空炉中。其流量由20ml／min逐渐降 低为0。 ‰ SchematicofPCVD Fig．1 drawing system 成分。用D／max一312X射线衍射仪测试薄膜的晶体结构及取向；测定条件为：Cu靶辐射(波长为 ULTRA系统测得的x 用谢乐(Scherrer)公式计算晶粒尺寸。Si．C-N薄膜的化学键状态通过AXIS 在工作电压为300Kv的JEM．3010高分辨透射电镜(HRTEM)上观察薄膜的微观结构。 薄膜硬度用计算机控制的MH-5型显微硬度计测定。测定参数为：加载59，保载时间5s，Vick 正四棱锥金刚石压头。每个试样均测试3个点的硬度值，每个点读数3次，然后取平均值。 2．实验结果和讨论 的颗粒弥散分布。这种表面形态和C