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多晶太阳电池高方阻与密栅匹配的研究 郑飞 摘要：多晶太阳电池效率提升的一个主要方向就是扩散高方阻匹配密栅网版，因为高方 阻既能尽量减少复合又能避免或减少“死层”，密栅网版缩窄了金属栅条的间距以减少 发射区电子横向移动的复合，同时增加了副栅线总面积以减低串阻，提高填充因子FF， 最终达到提升电池效率的目的，并可降低组件的封装损耗。本文主要内容是从提升扩散 方阻和增加网版栅线数量两个方面进行工艺改进，多晶电池效率累计可提升0.2%。 关键词：高方阻，密栅，CTM 0 0 00 引言 多晶电池片12年10月前正常量产平均效率在17.10%左右，匹配网版副栅线的数量 为80根。要进一步提升效率，需提高扩散方阻以获得更高的输出电流，但扩散后的薄层 [1,2] 方阻进一步提升会影响到电池片的串阻 。硅基太阳能电池的串联电阻主要由基底电阻 （RBase）、主栅线电阻（RBus）、副栅线体电阻（RF）、前接触电阻（RFC）、硅片表面薄层电 阻（RSheet）和背面接触电阻（RBC）组成，如图1所示，使用行业中通常用的参数进行计 算，可以得到在标准测试条件下，硅电池串联电阻各部分所占比例，如图2所示，可见 扩散的薄层电阻对Rs的影响占了很大的比例（超过30%），因此，扩散薄层电阻的提升 所带来的电池串阻的增加不容忽视。与此同时，从图2上我们也可看到与正面栅线相关 的副栅线体电阻和接触电阻之和占总串联电阻的比例超过50%，因此为了避免扩散方阻 提高后的整体Rs变高后带来的功率损耗，需要降低副栅线相关的Rs，以降低电池片整 体串联电阻，其中有效的方法就是增加正电极网版的副栅线的数量来降低电池片的Rs。 图1 硅基太阳能电池串联电阻示意图 图2 电池串联电阻中各组成部分所占比例 1 1 11 试验设计 为了多晶效率的进一步提效，工艺优化动作主要从两个方面入手：①正电极网版图 形优化，在原生产使用的网版的基础上增加了副栅数量，同时为了避免栅线数量增加后 [3,4] 栅线面积增加所导致的电池片有效面积的下降 ，新设计的试验网版的主栅线和副栅线 宽度进行了一定比例的收窄。在其他条件不变的情况下，对比使用生产网版和试验网版 [5,6] 印刷的电性能差异，并验证副栅线根数增加对组件封装损耗（CTM）的改善 ；②基于 [7] 副栅线根数增加后的试验网版的使用，对扩散工艺进行优化 ，改善方阻均匀性的同时 提高扩散方阻，以达到提升效率的目的；③试验网版和新扩散工艺均在产线加载后，确 认电池片效率的总体提升幅度。 2 试验结果及分析 2.1 网版试验及组件封装损耗（CTM）验证 为了确认试验网版的效果，使用产线相同路径及工艺的生产片，分别使用生产网版 和试验网版进行连续印刷，电性能统计数据结果如表1所示，效率分布图及各重要电性 能参数箱线图如图3示。 表1 生产网版和试验网版的电性能结果 行标签 Uoc Isc Rs Rsh FF NCell Irev2 Input 线宽/um 湿重/g 生产网版 0.6235 8.5501 0.00277 226.25 78.06 17.102% 0.1095 8231 80~95 0.120 试验网版 0.6247 8.5163 0.00236 270.89 78.66 17.199% 0.0808 9764 75~90 0.130 图3 生产网版和试验网版的效率分布图及各重要电性能参数箱线图 虽然可能由于栅线根数增加后电池片有效面积略有下降，导致试验网版的Isc略有 降低，但电池片整体Rs降低十分明显，由此带来的FF的提升使得电池片整体Ncell提 升了0.097%，其他几个重要参数的不同网版下的整体收敛性并无明显的差异。两款网版 效率分布比例如下： 表2 生产网版和试验