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薄膜应力的研究 03电联 沈文超 16号 摘要: 随着传统光学、信息光学，光通讯的不断扩展以及计算机技术、真空技术、光电子技术的飞速发展，薄膜光学器件以及薄膜电子器件得到了日益广泛的应用。薄膜技术也在工业上得到广泛应用，特别是电子材料与元器件工业领域中占有极为重要的地位。然而薄膜物理与薄膜技术均是正在发展的学科与技术．有关薄膜的性质，薄膜形成机理的某些内容还在探讨中．作为制约薄膜的应用的性质之一：薄膜应力理所当然地受到了关注。本文从薄膜的制作技术入手,从应力的基本概念开始重点讲述薄膜应力的产生机理,并讲述薄膜应力的释放与控制技术。 关键词： 薄膜　应力 小岛 薄膜应力是一种宏观现象，然而，它却反映出沉积薄膜的内部状态。对于各种微电子电路，各种薄膜电子元器件，以及各种薄膜光学元器件，薄膜的应力问题都非常重要，它直接关系到元器件的成品率、稳定性、可靠性．薄膜应力严重时会直接导致薄膜色裂，脱落，使薄膜损伤，甚至使整个元件失去功能。例如:若薄膜张应力过大,会使薄膜开裂,基片翘曲;反之,若压应力过大,则会使薄膜起皱或脱落,基片翘曲开裂。在一定范围内，应力会作用于基体，导致基体发生变形，从而使通过薄膜元件传输的光电信息发生畸变。更重要的是，薄膜在激光辐射下，由于预应力的存在，加速了薄膜的热力耦合作用，使其成为薄膜破坏的敏感因素。此外，通过对薄膜应力的研究，可以了解薄膜破坏机理，进而达到改善薄膜抗激光损伤性能的目的。 应力基础 在材料内部单位面积上的作用力称为应力,用σ表示。它是分布内力在点B的集度,反映内力在点B的强弱程度。它的数学定义是:在受力构件的截面上点B处取一微面积△A, △A上分布内力的合力为△F, △F/△A称为该微元的平均应力。当△A→0时,该平均应力趋向于一个极限p,p称为B点的应力。如果这种应力是由于薄膜受外力作用引起的则称外应力;如果它是由薄膜本身原因引起的称为内应力。 一般说来,薄膜或多或少地存在有内应力。它的大小主要由薄膜和基体材料,以及制备工艺有关。薄膜最终存在的应力是各种因素所引起的应力分量的总和,包括内应力,由于薄膜与基底热膨胀系数不同及沉积与测量时的温差而引起的热应力,由晶态或体积变化或外加载荷作用引起的外应力及水分吸收等物理现象等化学反应引起的应力。 早在19世纪末,镀膜中的应力就已为人们所关注。薄膜中内应力的研究和实验测量不断地被人们用各种手段进行尝试,并且提出了各种理论,以求对所得的结果加以解释。而这无一不在涉及到薄膜的制作工艺。 薄膜的制作 工业上基本的薄膜制作技术主要有三种:真空蒸发、溅射镀膜、离子镀等常称为物理气相沉积,简称PVD法。 真空蒸发镀膜法是在真空室中,加热蒸发容器中待形成薄膜的原材料,使其原子或分子从表面气化逸出,形成蒸气流,入射到固体(称为衬底或基片)表面,凝结成固态薄膜的方法。由于真空蒸发法主要物理过程是通过蒸发材料而发生的,所以称为蒸发法。 溅射镀膜利用溅射原子(指荷能粒子轰击固体表面,从固体表面射出的粒子)入射到基片表面,凝结成固态薄膜的方法。 离子镀膜技术是在真空条件下,应用气体放电实现镀膜,即在真空室中使气体或被蒸发物质电离,在气体离子或被蒸发物质离子的轰击下,同时将蒸发物或其反应产物镀在基片上。 工业上应用以上方法实现镀膜后,经过了:凝结过程、核形成与生长过程、岛形成与结合生长过程。应力就是在这些过程中产生的。 薄膜应力产生机制 许多人对薄膜应力产生的原因进行了大量的研究,提出了各种理论模型。目前对内应力的成因有以下一些结论: 热收缩效应的模型 热收缩产生应力的模型最早是由Wilman和Murbach提出来的,它是以蒸发沉积时,薄膜最上层温度会达到相当高为前提的。在薄膜形成过程中,沉积到基体上的蒸发气相原子具有较高的动能,从蒸发源产生的热辐射等使薄膜温度上升。当沉积过程结束,薄膜冷却到周围环境温度过程中,原子逐渐地变成不能移动状态。薄膜内部的原子是否能移动的临界标准是再结晶温度,在再结晶温度以下的热收缩就是产生应力的原因。这种模型产生的应力只起因于热效应,用σ(T)表示。 σ(T)=E(F)*(α(F)* α(S))* △T 其中: E(F)为薄膜的杨氏模量, α(F)、 α(S)分别为薄膜、基体的膨胀系数。 △T为薄膜与基体体系的温升。 相转移效应模型 在薄膜形成过程中发生从气相到固相的转移。根据蒸发薄膜材料的不同,可细分为从气相经液相到固相的转移及从气相经液相(可能不经过)再经过固相到别的固相的转移。在相转变时一般发生体积的变化,从而引起应力。 由相转移产生应力的模型首先是由掘越等人在Sb薄膜中发现的。在常温下蒸发的Sb薄膜,当膜厚增加而发生结晶时,内应力就会急剧地增大。另一个明显的例子就是Cunther和Buclel等人对Ga薄膜进行的试验。 Ga