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杯状纵磁触头间隙中纵向磁场滞后时间的空间分布研究 作者：刘志远 王仲奕 摘要 本文对杯状纵磁真空灭弧室触头间隙中纵向磁场滞后时间的径向和轴向分布进行了分析。用有限元法对杯状纵磁触头简化的轴对称模型涡流场进行的分析结果表明，纵向磁场滞后时间沿径向减小，其分布形状象开口向下的抛物线的右半部，径向达到杯臂中某处时纵向磁场滞后时间为零，然后到触头边缘线性增加；纵向磁场滞后时间沿轴向分布的规律是，越靠近触头中心纵向磁场滞后时间沿轴向的变化越不显著，接近一条直线，越靠近触头边缘这种变化越显著，直至到达杯壁中间处形成不规则“正弦曲线”分布和触头边缘处纵向磁场滞后时间的开口朝上抛物线分布。在杯状纵磁真空灭弧室触头结构中，触头中心处电弧在电流过零时扩散受到的制约作用最显著，沿半径向触头边缘这种制约作用越来越小。 关键词：真空灭弧室；磁场滞后时间；触头；涡流；真空电弧 1 引言 真空断路器是目前中压领域应用广泛，技术性能优越的一种断路器。真空断路器开断大电流的方式有两种，一种是在真空电弧上施加与弧柱轴向垂直的磁场，即横向磁场，使真空电弧在触头上快速旋转，产生这种磁场的典型触头结构有螺旋槽触头和杯状横磁触头；另一种是在真空电弧上施加与弧柱轴向平行的磁场，即纵向磁场，使电弧在大电流下也处于扩散电弧状态。产生这种磁场的典型触头结构有线圈式触头和杯状纵磁触头。本文对杯状纵磁触头结构进行研究。 涡流对真空断路器的开断性能有直接影响。真空断路器中通过50Hz 交流电流。在纵向磁场真空灭弧室中，当交流电流过零时，纵向磁场并不立即过零，而是经过磁场滞后时间后过零。磁场滞后于电流是由涡流引起的。涡流所产生的纵向磁场约束了电弧等离子体在电流过零后的扩散。在暂态恢复电压（TRV）的作用下，当磁场滞后时间较长时，真空断路器成功开断的可能性降低。另外，当触头刚刚分离时，在高速摄影机的观测下，可以看到真空电弧呈一明亮的柱形，随后真空电弧迅速扩散[1]。在涡流的影响下，纵向磁场只有在经过磁场滞后时间后才能作用在真空电弧上，因此磁场滞后时间长有可能使真空电弧集聚时间增长，使触头表面烧损趋于严重，这也对真空断路器的成功开断不利。因此涡流及其产生的磁场滞后成为真空断路器研究和开发人员关注的问题之一。 电磁场有限元分析是研究涡流和磁场滞后时间的有效方法。Paul 用轴对称模型对纵向磁场真空灭弧室中的涡流进行了分析[2]。Nitta 等对1/3 匝线圈的磁场进行了三维有限元分析，考虑了涡流的影响，得到磁场滞后时间标幺值沿电极径向的分布[3]。Stoving 等对1/3 匝线圈触头，杯状纵磁触头，马蹄铁式触头和管式触头进行了三维有限元分析，得到触头片中电流密度分布和触头片表面中心点的纵向磁场滞后时间[4]。刘志远等对杯状纵磁触头中的涡流进行了三维有限元分析，得到触头片中涡流分布和触头间隙中电流过零时的纵向磁场分布[5]。由此可见，电磁场有限元分析成为研究真空灭弧室触头中涡流和磁场滞后时间的有力工具。 虽然上述文献考虑到涡流的影响并得到关于纵向磁场滞后时间的许多有价值的信息，但是纵向磁场滞后时间在触头间隙中径向和轴向的空间分布的全面研究还没有相关报道。磁感应强度B 在源电流过零一段时间后才到达零值，源电流过零时刻到磁感应强度B 过零时刻这段时间为磁场滞后时间。磁感应强度B 的轴向分量的滞后时间为纵向磁场滞后时间。因为场域内每一点上的磁感应强度B 过零时刻不一致，所以场域内的纵向磁场滞后时间沿径向和轴向的分布有一定的规律。本文的目标是通过对纵向磁场真空灭弧室触头结构涡流场进行有限元分析，得到纵向磁场滞后时间在触头间隙中径向和轴向的空间分布。此结果可为进一步研究涡流产生的磁场在电流过零时与真空电弧等离子体扩散的相互关系打下基础。 2 有限元模型 本文对一种典型的单极式纵向磁场触头结构-杯状纵磁触头结构进行了分析。杯状纵磁触头的结构如图1(a)所示。触头共有6 个杯指，杯指与水平面夹角为27°。每个杯指旋转90°。触头片上有6 个径向直槽。触头材料为CuCr50。电流在杯指中流动时产生与电弧弧柱轴向方向一致的纵向磁场。交流电流频率为50Hz。在分析中采用图1(b)所示的轴对称模型进行简化，将杯指等效为线圈，杯指中电流折算成线圈中电流。用于分析的模型参数如表1 所示。计算时边界条件取为无穷远边界条件。本文的结果可以为其它单极式纵向磁场触头结构如线圈式触头提供参考。 图1 杯状纵磁触头 表1 杯状纵磁触头模型参数  本文采用Ansoft 公司的Maxwell SV 软件对图1 所示的轴对称模型进行了涡流场有限元分析。由于该软件采用了自适应网格剖分技术，计算误差可减小到任意指定值。本文计算中能量误差小于1%。 本文中的杯状纵磁触头结构参数与文献[5