氮（氧）化硅湿法刻蚀后清洗方式的改进.pdfVIP

维普资讯 技术毒枉 T．_ ，■■■ 氮(氧)化硅湿法刻蚀后清洗方式的改进 徐 宽 一 ，程 秀兰 (1．上海交通大学 微 电子学院，上海 200030； 2．中芯国际集成电路制造 (上海 )有限公司FAB3，上海 201203) 摘要：在半导体制造工艺的湿法刻蚀中，用热磷酸刻蚀氮化硅和氮氧化硅是其 中一个相对复杂又难以 控制 的工艺。在这个工艺中，热磷酸刻蚀后的去离子水 (DIW )清洗更是一个非常重要的步骤 。主要分 析了由于去离子水清洗不当造成 的表面缺陷的形成机理 ，并通过合理的实验设计和分析，给 出了具体的解 决方 案 。 关键 词 ：半导体 制造 ；氮 化硅 ；湿 法刻蚀 ；湿 法清 洗 ；缺 陷 中图分类号 ：TN305．97 文献标识码 ：A 文章编号：1003—353X(2006)09—0650—03 PostHotPhosphoricAcid SiON ／SiN EtchingDefectAnalysis and SolvingM ethods XU Kuan 2 CHENG Xiu—lan 【1．SchoolofMicroetectronics．ShanghaiJiaoTongUniversity．Shanghai200030China, 2．SemiconductorManufactureInternnnonnlCorporation S《hanghaOFAB3 Shanghai201203，China、 Abstract：Intheprocessesofwetetching，SiN ／SiON etchinginhotphosphoricacidisvery complicatedandhardtocontrol，andtheDIW cleaningposthotphosphoricacidetchingisalso veryimportant．ThemechanismsofsurfacedefectscausedbyimproperDIW cleaningwereanalyzed， andthesolutionsforreducingthesurfacedefectsareprovidedbymeansoftheproperexperimental design andanalyses． Keywords：semiconductormanufacturing；siliconnitride；wetetching；wetcleaning；defect 果不将这层残余物质清洗干净，将严重影响芯片的 1 引言 后续制程 ，造成芯片成品率的损失和可靠性问题。 热磷酸湿法刻蚀已经在半导体制造工艺中应用 所 以热磷酸后清洗比其他酸液 (如SC2，SPM，HF 了几十年了。由于热磷酸对氮化硅和氮氧化硅刻蚀 等易去除的试剂)之后的清洗更关键，也更具有挑 具有 良好 的均匀性和较 高 的选择 比，一直 到 了 战性 1【】。 90nm的最先进制程也是采用热磷酸来刻蚀氮化硅与 氮氧化硅 。 2 清洗缺 陷产生机理分析 常用的热磷酸刻蚀液是由85％浓磷酸和l5％去 随着工艺尺寸的逐渐缩 小，定义和刻蚀精准 离子水 (DIW)配合而成 ，并保持在 l60℃的温 的多 晶硅线条变得越来越困难 。工业界常采用在 度下进行刻蚀 。热磷酸刻蚀之后的芯片一般采用热 多晶硅表面覆盖一层 由化学汽相沉积的氮氧化硅 去